Na czym polega efekt Gunna ??



Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: Krystian <messor_at_nospam_poczta.usun.fm>
Subject: Na czym polega efekt Gunna ??
Date: 24 Jan 2004 18:13:29 GMT


Chciałbym się dowiedzieć na czym polega efekt Gunna. Nie potrzebuję żadnych
wzorów niczego, tylko zależy mi by się do wiedzieć o co tam chodzi.
Może ktoś poleciłby mi jakiś link, bo z google nic nie wyciągnałem.

Z góry dziękuję.

Pozdrawiam
Krystian

--
"You're born with a spark... to search for the truth, for the best You can
be. Practice. Discipline. Preparation. Try and try again. Then one day
You're on top and they say you're an 'overnight success', a 'natural'. You
smile, You know." *Anonymous*

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!news.ipartners.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "marcinuh" <marcinuh_at_nospam_wp.pl>
Subject: Re: Na czym polega efekt Gunna ??
Date: Sat, 24 Jan 2004 20:13:29 +0100


Użytkownik "Krystian" <messor_at_nospam_poczta.usun.fm> napisał w wiadomości
news:slrnc15h23.e5.messor_at_nospam_barracuda.messor.org...
Chciałbym się dowiedzieć na czym polega efekt Gunna. Nie potrzebuję
żadnych
wzorów niczego, tylko zależy mi by się do wiedzieć o co tam chodzi.
Może ktoś poleciłby mi jakiś link, bo z google nic nie wyciągnałem.

W duzym skrocie: powstawanie oscylacji w pasmie mikrofalowym po przylozeniu
napiecia do odpowiednieo przekroju polprzewodnika, np. GaAs. Ma to zwiazek
ze zjawiskiem "ujemnej rezystancji" dla tych czestotliwosci - nastrepuje
spelnienie warunku generacji. Ale to takie mocne uproszczenie - podejrzewam,
ze na troche wiecej liczysz ;-).
pzdr,
marcin



=======

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_message.pl>
Subject: Re: Na czym polega efekt Gunna ??
Date: Sat, 24 Jan 2004 20:37:54 +0100


Użytkownik "Krystian" <messor_at_nospam_poczta.usun.fm> napisał w wiadomości
news:slrnc15h23.e5.messor_at_nospam_barracuda.messor.org
Chciałbym się dowiedzieć na czym polega efekt Gunna. Nie potrzebuję
żadnych wzorów niczego, tylko zależy mi by się do wiedzieć o co tam
chodzi.


Oj... dawno to miałem, ale w materiałów w sieci jak na lekarstwo. Jednak
zajrzałem do książek i coś tam sobie przypomniałem. Nie jestem przekonany
czy da się opowiedzieć prosto, ale spróbujmy...

Przede wszystkim: Efekt Gunna występuje jedynie w niektórych
półprzewodnikach z grupy A3B5 i A2B6 charakteryzujących się szczególnym
układem pasm energetycznych. Do konstrukcji diod Gunna najczęsciej używa się
GaAs, dlatego posłużymy się jego przykładem.

Zazwyczaj w modelu pasmowym półprzewodnika, na osi poziomej odklada się
położenie (współrzędna geometryczna), natomiast oś pionowa reprezentuje
energię. Wykres pasmowy jednorodnej bryłki płp, w stanie ustalonym, bez
zewnętrznej polaryzacji, oświetlenia itp. ma postać płaskich, poziomych
pasm: podstawowego i przewodnictwa. W rzeczywistości położenie pasm
energetycznych zależy od pędu elektronu względem położenia osi
krystalograficznych. Jeżeli na osi poziomej odłożymy nie współrzędną X a pęd
elektronu, to pasma przewodnictwa przyjmują postać dolin. Wspomniany GaAs ma
dwie szczególne cechy:
dwóch dolin przesuniętych na osi pędu. Przejście z pasma podstawowego do
pierwszego subpasma z dnem odległym odległym o 1.36eV (Wp1) od wierzchołka
pasma podstawowego odbywa się bez zmiany pędu elektronu. Jednak możliwe
jest również inne przejście (tzw. skośne, czyli ze zmianą pędu) do drugiego
subpasma z dnem (Wp2) położonym o 0.36eV wyżej niż pierwsze.
znacznie mniejsza niż w pierwszym. Przypomnijmy, że ruchliwość nośników w
półprzewodniku przekłada się bezpośrednio na jego konduktywność.

Przyłożeniu pola elektrycznego do jednorodnego półprzewodnika towarzyszy
przepływ prądu, czyli unoszenie elektronów z prędkością proporcjonalną do
natężenia pola i ruchliwości nośników. W zakresie małych natężeń pola
elektrony poruszają się w dolnym subpasmie przewodnictwa ze znaczną
ruchliwością (-> mała rezystywność). W miarę wzrostu natężenia pola E,
niektóre z elektronów osiągają energię Wp2 pozwalającą na przejście do
drugiego subpasma, gdzie zostają uwięzione w warunkach znacznie zmniejszonej
ruchliwości co objawia się _wzrostem rezystywności_ półprzewodnika. W
przypadku GaAs wymaga to przekroczenia natężenia pola E rzędu 3.5E5[V/m]. W
ten sposób, w jednorodnym, bezzłączowym obszarze półprzewodnika istnieją
warunki do wystąpienia na charakterystyce ( I(U) ) odcinka o ujemnej
konduktancji rózniczkowej:
http://www.st-andrews.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/RadCom/part5/page1.html

W wyjaśnieniu założyliśmy milcząco jednorodność pola E w obszarze
półprzewodnika. W rzeczywistości pole nigdy nie będzie jednorodne. W
warunkach pola elektrycznego o wartości krytycznej, zaburzenia te potęgują
się i przyjmują postać warstw ładunku, tzw domen przemieszczających się
zgodnie z kierunkiem pola: http://volt.zsme.tarnow.pl/diody.htm

Dalszy ciąg związany z wytwarzaniem drgań za pomocą obwodu rezonansowego z
włączonym elementem o ujemnej rezystancji rózniczkowej powinien dać się
znaleźć w sieci.

Żeby nie było, że ja to wszystko z pamięci... ;-) Podparłem się
następującymi książkami:
J.Klamka. "Mikrofalowe przyrządy PŁP", WNT 1982, Wyd.2
A. Świt, J.Pułtorak. "Przyrządy PŁP", WNT 1979, Wyd.4
J.Hennel., "Podstawy elektroniki PŁP", seria EiT, WNT 1986
W.Marciniak, "Przyrządy PŁP i układy scalone", WNT 1984, Wyd.2

--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 (zwykle jako 'niewidoczny')

"pl.misc.elektronika" podlega zasadom usenetu i Netykiety:
http://kni.ae.krakow.pl/html/netykieta/net_00.html
Nie zmieniaj tematu. CYTUJ (ale OSZCZĘDNIE). Pisz POD cytatem!


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: Krystian <messor_at_nospam_poczta.usun.fm>
Subject: Re: Na czym polega efekt Gunna ??
Date: 24 Jan 2004 19:47:23 GMT


Dnia Sat, 24 Jan 2004 20:37:54 +0100, grałem na gitarze, aż tu nagle
mój spokój wewnętrzny zakłócił Marek pisząc:
[...]
W.Marciniak, "Przyrządy PŁP i układy scalone", WNT 1984, Wyd.2

Uff jak się tej ksiązki boje :)

Dziękuję bardzo.

Pozdrawiam
Krystian

--
"You're born with a spark... to search for the truth, for the best You can
be. Practice. Discipline. Preparation. Try and try again. Then one day
You're on top and they say you're an 'overnight success', a 'natural'. You
smile, You know." *Anonymous*

=======

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_message.pl>
Subject: Re: Na czym polega efekt Gunna ??
Date: Sat, 24 Jan 2004 20:54:39 +0100


Użytkownik "Krystian" <messor_at_nospam_poczta.usun.fm> napisał w wiadomości
news:slrnc15mi5.e5.messor_at_nospam_barracuda.messor.org

W.Marciniak, "Przyrządy PŁP i układy scalone", WNT 1984, Wyd.2
Uff jak się tej ksiązki boje :)

-) Niestety książka prof.Marciniaka (przy całym szacunku dla jej Autora)
próbuje objąć _całość_ tematu - łącznie z technologią US - a przez to
zawiera sporo uproszczeń. Książka prof.prof. Świta i Półtoraka obejmuje
węższy zakres, jest znacznie bardziej szczegółowa ale dzięki temu spójna i
IMHO przyjemniejsza jako podręcznik (Zwłaszcza jeśli się chadzało na wykładu
do obu panów ;)

--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 (zwykle jako 'niewidoczny')


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!news.ipartners.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "marcinuh" <marcinuh_at_nospam_wp.pl>
Subject: Re: Na czym polega efekt Gunna ??
Date: Sat, 24 Jan 2004 20:56:41 +0100


Użytkownik "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_message.pl> napisał w wiadomości
news:4012c997_at_nospam_news.home.net.pl...
[...]

Fiu fiu... Good job :-)
pzdr,
marcin



========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!newsfeed.gazeta.pl!topaz.icpnet.pl!not-for-mai