Swiss-Dating: 0901 57 89 05
Subject: Swiss-Dating: 0901 57 89 05
From: "Lovelette" <hallo_at_nospam_dating.ch>
Date: Sun, 29 Apr 2001 14:16:37 GMT
From: smoluszek_at_nospam_poczta.onet.pl (Smola)
Subject: mosfet
Date: 29 Apr 2001 23:19:54 +0200
Czy ktos sie orientuje w ustawianiu pradu spoczynkowego w wzmacniaczach kl.
AB mosfet
(irfp250) ??
--
--
Archiwum grupy: http://niusy.onet.pl/pl.misc.elektronika
From: "A.Grodecki" <agrotronik_at_nospam_medianet.pl>
Subject: Re: mosfet
Date: Mon, 30 Apr 2001 02:08:18 +0200
Smola wrote in message <20010429211815Z25633-20567+1873_at_nospam_priv.onet.pl>...
Czy ktos sie orientuje w ustawianiu pradu spoczynkowego w wzmacniaczach kl.
AB mosfet
(irfp250) ??
Popatrz sobie na na www.passlabs.com
Pozdrawiam,
A.Grodecki
From: =?iso-8859-2?Q?W=B3odzimierz?= Senicz <wsenicz_at_nospam_upr.org.pl>
Subject: Re: mosfet
Date: Mon, 30 Apr 2001 14:20:48 +0200
Smola wrote:
Czy ktos sie orientuje w ustawianiu pradu spoczynkowego w wzmacniaczach kl.
AB mosfet
(irfp250) ??
Optymalny to 0.2-0.3 A. Male znieksztalcenia i male
wydzielanie ciepla. Wiekszy prad spoczynkowy poprawia
minimalnie znieksztalcenia na wysokich ~20khz ale
temperatura radiatora tez mocno wzrasta. I prad ten dotyczy
wlasciwie wszystkich rodzajow tranzystorow. Bipolarnych tez.
Przyczym te ostatnie maja troche mniejsze znieksztalcenia i
lepsze brzmienie. W stopniach wzmacniaczy nalezy stosowac
max. szybkie tranzystory. Sterujace 400-1000Mhz a koncowe
30-100Mhz.