Czym się różni emiter od kolektora?
Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl
From: "Tadek12" <t.bodalski_USUNTO__at_nospam__TO_TEZ_apteka.wroc.pl>
Subject: Czym się różni emiter od kolektora?
Date: Fri, 9 Apr 2004 23:18:09 +0200
Tranzystor składa się z trzech warstw półprzewodników, np N-P-N
W podręcznikach objaśniających zasadę działania tranzystora rysunki tych
warstw są symetryczne.
Skąd wiadomo, która warstwa N ma być emiterem, a która kolektorem?
A może - a raczej na pewno - istnieją jakieś różnice pomiędzy warstwami N?
Jeśli tak to jakie?
Tadek
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!poznan.rmf.pl!news.man.poznan.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.atman.pl!not-for-mai
From: Krzysztof Rudnik <rudnik_at_nospam_kki.net.pl>
Subject: Re: Czym =?ISO-8859-2?Q?si=EA_r=F3=BFni_emiter_od_kolektora=3F?=
Date: Fri, 09 Apr 2004 23:16:51 +0200
Tadek12 wrote:
Tranzystor składa się z trzech warstw półprzewodników, np N-P-N
W podręcznikach objaśniających zasadę działania tranzystora rysunki tych
warstw są symetryczne.
Skąd wiadomo, która warstwa N ma być emiterem, a która kolektorem?
A może - a raczej na pewno - istnieją jakieś różnice pomiędzy warstwami N?
Jeśli tak to jakie?
O ile pamietam to emiter jest silniej domieszkowany.
Krzysiek Rudnik
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.man.poznan.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai
From: Tomasz =?iso-8859-2?Q?Szcze=B6niak?= <tszczesn_at_nospam_pay.com.pl>
Subject: Re: Czym =?iso-8859-2?Q?si=EA_r=F3=BFni?= emiter od kolektora?
Date: Fri, 9 Apr 2004 21:35:42 +0000 (UTC)
Dnia Fri, 9 Apr 2004 23:18:09 +0200 na fali pl.misc.elektronika stacja
Tadek12 <t.bodalski_USUNTO__at_nospam__TO_TEZ_apteka.wroc.pl> nadała:
Tranzystor składa się z trzech warstw półprzewodników, np N-P-N
W podręcznikach objaśniających zasadę działania tranzystora rysunki tych
warstw są symetryczne.
Skąd wiadomo, która warstwa N ma być emiterem, a która kolektorem?
A może - a raczej na pewno - istnieją jakieś różnice pomiędzy warstwami N?
Jeśli tak to jakie?
W gęstości domieszkowania i kształcie. Gemeralnie emiter jest onszarem
domieszkowanym bardzo silnie, baza słabiej a kolektor najsłabiej (do
tego baza jest bardzo cienka). Odwrotne połączenie tranzystora (emiter
zamieniony z kolektorem) jest możliwe, i tranzystor będzie nawet
działał, ale będzie miał dość kiepskie wzmocnienie :)
--
Tomasz Szczesniak
tszczesn_at_nospam_pay.com.pl
FIDO: 2:480/127.134 HYDEPARK moderator
http://www.pay.com.pl/oldradio
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.gazeta.pl!not-for-mai
From: "Doxent" <doxent_at_nospam_NOSPAM.gazeta.pl>
Subject: =?iso-8859-2?Q?Re:_Czym_si=EA_r=F3=BFni_emiter_od_kolektora=3F?=
Date: Fri, 9 Apr 2004 23:46:43 +0200
zamieniony z kolektorem) jest możliwe, i tranzystor będzie nawet
działał, ale będzie miał dość kiepskie wzmocnienie :)
bedzie tlumil/zmniejszal sygnal.
Swoja droga jak zastapic bipolara mos/fetem i np. bc550 czym mozna zastapic
ewentualnie dobierajac inne wartosci rezystorow w aplikacji
klasyczny uklad - rezystor przy drenie a rezystor przy emiterze do masy ?
=======
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_WIADOMO_PO_CO_TO.message.pl>
Subject: =?iso-8859-2?Q?Re:_Czym_si=EA_r=F3=BFni_emiter_od_kolektora=3F?=
Date: Sat, 10 Apr 2004 00:57:07 +0200
Użytkownik "Tomasz Szcześniak" <tszczesn_at_nospam_pay.com.pl> napisał w
wiadomości news:slrnc7e5kj.cb0.tszczesn_at_nospam_tomek.dom
Skąd wiadomo, która warstwa N ma być emiterem, a która kolektorem?
A może - a raczej na pewno - istnieją jakieś różnice pomiędzy
warstwami N? Jeśli tak to jakie?
W gęstości domieszkowania i kształcie. Gemeralnie emiter jest onszarem
domieszkowanym bardzo silnie, baza słabiej a kolektor najsłabiej (do
tego baza jest bardzo cienka). Odwrotne połączenie tranzystora (emiter
zamieniony z kolektorem) jest możliwe, i tranzystor będzie nawet
działał, ale będzie miał dość kiepskie wzmocnienie :)
Tranzystor jesli ma być "dobry" to powinien mieć m.in. możliwie wysoką
wartość współczynnika wzmocnienia prądowego. Wsp. ALFA (wzm. prądowe w
układzie OB) jest iloczynem dwóch współczynników:
1) sprawności wstrzykiwania nośników z obszaru emitera do bazy
2) sprawności transportu nośników mniejszościowych w bazie
Sprawność wstrzykiwania mówi o tym jaka część prądu emitera przyjmuje postać
strumienia nośników mniejszościowych osiągających "bazową" krawędź warstwy
zaporowej złącza E-B. Jednym z czynników decydujących o sprawności
wstrzykiwania jest profil domieszkowania złącza E-B a w przybliżeniu -
stosunek poziomów domieszkowania w obszarze bazy i emitera. Stąd wynika
wysokie domieszkowanie obszaru emitera (w n-p-n -> n+ ) i niższy poziom
domieszkowania obszaru bazy
Sprawność transportu określa jaka część nośników wstrzykniętych z emitera do
bazy zdoła osiągnąć krawędź warstwy zaporowej złacza B-C. Te które nie
zdążą, ulegają rekombinacji w obszarze bazy i wnoszą swój wkład do prądu Ib.
Poprawę sprawności transportu można uzyskać skracając czas przelotu nośników
w bazie. Stąd obszar bazy powinien być jak najkrótszy (tzn. odległość
pomiędzy złączami E-B i B-C). Ponadto stosuje się niejednorodny profil
domieszkowania w obszarze bazy skutkujący powstaniem wbudowanego pola
elektrycznego unoszącego nośniki w kierunku kolektora.
Profil domieszkowania złącz odpowiadający powyższym założeniom w naturalny
sposób powstaje w technologii epiplanarnej. Tzn. złącze B-C powstaje w
wyniku wdyfundowania w niskodomieszkowany obszar wyspy kolektorowej epi-n
(ciągle mówimy o tranz. n-p-n) wyspy bazowej (p) przekompensowującej
domieszkowanie warstwy epi-n. Z samej natury procesu dyfuzji wynika
niejednorodny profil domieszkowania obszaru p (mierzony w głąb struktury).
Obszar emitera powstaje w wyniku kolejnej dyfuzji (n+) o wysokiej
koncentracji przekompensowującej akceptorowe domieszkowanie w obszarze bazy.
Stąd tranzystor epiplanarny ma układ (n+)-(p)-(n) a ściślej
(n+)-(p)-(n-epi)-(n++) - żeby nie zapomnieć o wysokodomieszkowanej warstwie
zagrzebanej zmniejszającej szeregową rezystancję jaką wnosi
niskodomieszkowany (n-epi), a więc wysokorezystywny obszar kolektora
pomiędzy złączem B-C a metalizacją wyprowadzenia.
Tranzystor może pracować w układzie inwersyjnym. ZTCW podobno nawet istniały
kiedyś tranzystory symetryczne, przeznaczone do pracy w dwukierunkowych
wzmacniakach podwodnych, kablowych linii teletransmisyjnych. Jednak
odwrócenie tranzystora epiplanarnego sprawia, że profile domieszkowania
(korzystne w układzie standardowym) zaczynają działać na niekorzyść. Stąd
wynikają fatalne, współczynniki wzmocnienia - w przeliczeniu na BETA nie
przekraczające kilku. Ponadto wysokodomieszkowane złącze E-B ma
niewielkie napięcie przebicia - zwykle na poziomie ok .6V co dodatkowo
ogranicza jego użyteczność. Z drugiej strony, odwrócony układ poziomów
domieszkowania skutkuje bardzo niskimi napięciami nasycenia w układzie
inwersyjnym Uce_sat(inv) co było stosowane np. przy kluczowaniu sygnałów
analogowych.
Mniej oczywisty wydaje się wybór drenu (D) i źródła (S) w tranzystorach MOS.
Zasadniczym czynnikiem rózniącym obie elektrody jest zazwyczaj połączenie
jednej z nich z podłożem tranzystora.
Jeżeli coś pokręciłem - sprostujcie. Pisałem z pamięci a minęło już te
parę(naście) lat. ;-)
--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 (zwykle jako 'niewidoczny')
"pl.misc.elektronika" podlega zasadom usenetu i Netykiety:
http://kni.ae.krakow.pl/html/netykieta/net_00.html
Nie zmieniaj tematu. CYTUJ (ale OSZCZĘDNIE). Pisz POD cytatem!
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!news.ipartners.pl!news.nask.pl!news-stoc.telia.net!217.209.241.210.MISMATCH!news-stod.telia.net!telia.net!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai
From: "Grzegorz Kurczyk" <Ugk_at_nospam_Scontrol.Uslupsk.Npl>
Subject: Re: Czym się różni emiter od kolektora?
Date: Sat, 10 Apr 2004 13:39:30 +0200
Użytkownik "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_WIADOMO_PO_CO_TO.message.pl> napisał w
wiadomości news:40772a44_at_nospam_news.home.net.pl...
Użytkownik "Tomasz Szcześniak" <tszczesn_at_nospam_pay.com.pl> napisał w
wiadomości news:slrnc7e5kj.cb0.tszczesn_at_nospam_tomek.dom
Jeżeli coś pokręciłem - sprostujcie. Pisałem z pamięci a minęło już te
parę(naście) lat. ;-)
Jak zwykle Pan Marek dał tak wyczerpującą odpowiedź, że jedyne co mi
pozostało do sprostowania, to ... sprostować pogięte nóżki BC107, którego
właśnie wylutowałem :-)
--
Szczęśliwego Nowego Jajka i Smacznego Dyngusa :-)
Pozdrawiam
Grzegorz Kurczyk
W adresie e-mail usuń co zbędne :)
http://www.control.slupsk.pl
ftp://ftp.control.slupsk.pl
GG: 1445218
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai
From: "Mister" <wojpie_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Czym się różni emiter od kolektora?
Date: Sat, 10 Apr 2004 21:40:39 +0200
Mniej oczywisty wydaje się wybór drenu (D) i źródła (S) w tranzystorach
MOS.
Zasadniczym czynnikiem rózniącym obie elektrody jest zazwyczaj połączenie
jednej z nich z podłożem tranzystora.
Jeżeli coś pokręciłem - sprostujcie. Pisałem z pamięci a minęło już te
parę(naście) lat. ;-)
Brawo!!!
Widać ktoś tu chyba w CEMI pracował :-)
Mister
=======
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_WIADOMO_PO_CO_TO.message.pl>
Subject: =?iso-8859-2?Q?Re:_Czym_si=EA_r=F3=BFni_emiter_od_kolektora=3F?=
Date: Sat, 10 Apr 2004 22:10:22 +0200
Użytkownik "Mister" <wojpie_at_nospam_poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:c59ibf$lat$1_at_nospam_atlantis.news.tpi.pl
Widać ktoś tu chyba w CEMI pracował :-)
CEMI odmeldowało się na wieczną wachtę, zanim ja zdążyłem skończyć studia.
Ale jak najpierw oblałem PŁP po wykładach prof.Świta (cóż... rozmowa z
dr.A.Pfitznerem wymagała pewnego wyjściowego poziomu wiedzy ;-) to potem
musiałem je zaliczyć na warunku u prof.Pułtoraka. Widać powtórka była na
tyle skuteczna, że do dzisiaj jej nie mogę zapomnieć ;-)
--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 (zwykle jako 'niewidoczny')
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.man.poznan.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai
From: ladzk_at_nospam_waw.pdi.net (Dariusz K. Ladziak)
Subject: Re: Czym się różni emiter od kolektora?
Date: Sat, 10 Apr 2004 00:23:53 GMT
On Fri, 9 Apr 2004 23:18:09 +0200, "Tadek12"
<t.bodalski_USUNTO__at_nospam__TO_TEZ_apteka.wroc.pl> wrote:
Tranzystor składa się z trzech warstw półprzewodników, np N-P-N
W podręcznikach objaśniających zasadę działania tranzystora rysunki tych
warstw są symetryczne.
Skąd wiadomo, która warstwa N ma być emiterem, a która kolektorem?
PO domieszkowaniu poznac. Zlacze baza - kolektor jest obustronnie
nisko domieszkowanym zlaczem. Natomiast zlacze baza - emiter jest od
strony obszaru emitera domieszkowane bardzio wysoko, prawie pod
granice degeneracji polprzewodnika. PAre rownan trzeba by rozpisac
czemu tak wlasnie ma byc zeby tranzystor dzialal jak nalezy - ale
wlasnie tak jest i tak sie robi tranzystory.
A może - a raczej na pewno - istnieją jakieś różnice pomiędzy warstwami N?
Jeśli tak to jakie?
No wlasie takie. A ze szczegolow nie wszystkim znanych - tranzystor
wlaczony odwrotnie (ze zlaczem emiter-baza spolaryzowanym zaporowo i
zlaczem kolektor-baza spolaryzowanym w kierunku przewodzenia nadal
bedzie dzialal i wzmacnial - tyle ze marnie bedzie to szlo...
--
Darek
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai
From: "greg" <xgrzes_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Czym się różni emiter od kolektora?
Date: Sat, 10 Apr 2004 10:09:20 +0200
uwaga praktyczna
przy identyfikacji nozek tranzystora - przy badaniu zlacz testerem diod,
zlacze kolektor-baza ma kilka mV mniejszy spadek napiecia niz emiter-baza
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.astercity.net!news.aster.pl!not-for-mai