Jak ustawić prąd spoczynkowy 0.2-0.3 A w wzmacniaczach kl. AB MOSFET?
Re :Re: mosfet
From: smoluszek_at_nospam_poczta.onet.pl (Smola)
Subject: Re :Re: mosfet
Date: 12 May 2001 23:20:46 +0200
Czy ktos sie orientuje w ustawianiu pradu spoczynkowego w wzmacniaczach
kl.AB mosfet
Optymalny to 0.2-0.3 A. Male znieksztalcenia i male
Czyli 200mA na jeden tranzystor ??
Czy prad spoczynkowy zalezy w jakis sposob od mocy wzmacniacza ??
Jak mam w wzmacniaczu polaczone rownolegle tranzystory to kazdy po 200mA ??
Czy 100mA nie wystarczy ?? Duzo wieksze beda znieksztalcenia ??
--
--
Archiwum grupy: http://niusy.onet.pl/pl.misc.elektronika
From: "serwis" <serwis_at_nospam_adomed.com.pl>
Subject: Re: Re :Re: mosfet
Date: Mon, 14 May 2001 10:50:14 +0200
Sprawa jest zlozona - zalezy od kilku czynników. Dawanie pradu
spoczynkowego wynika z nieliniowosci poczatkowej charakterystyki
przejsciowej tranzystora polowego Id=f(Ug), a to jest rózne dla róznych
typów, producentów, a nawet poszczególnych egzemplarzy tranzystorów
(zalecane jest ich parowanie, jak kiedys za czasów tr. germanowych) . Ma
tez znaczenie jak dobrze wspóldziala uklad sterujacy tr. wyjsciowymi, jak
gleboka jest petla sprzezenia zwrotnego itd. Inaczej mówiac trudno z góry
okreslic czy ma byc to 100 czy 173 mA. Najlepiej byloby wykonac optymalna
regulacje przy jednoczesnym pomiarze poziomu znieksztalcen - trzeba miec tu
odpowiedni przyrzad lub stosowac techniki posrednie takiego pomiaru (np.
oscyloskopowe X-Y). Powodzenia.
Romi
Uzytkownik "Smola" <smoluszek_at_nospam_poczta.onet.pl> napisal w wiadomosci > Czy
prad spoczynkowy zalezy w jakis sposob od mocy wzmacniacza ??
Jak mam w wzmacniaczu polaczone rownolegle tranzystory to kazdy po 200mA
??
Czy 100mA nie wystarczy ?? Duzo wieksze beda znieksztalcenia ??