Prąd drenu a temperatura tranzystora



Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl

Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: "Patryk Kałużny" <pkaluzny_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Prąd drenu a temperatura tranzystora
Date: Sat, 11 May 2002 22:09:09 +0200


Witam

Mam do szanownych grupowiczów pytanie: Jak zmienia się prąd dren - źródło
tranzystora polowego (MOS IRF-530) wraz ze wzrostem temperatury?
Dokładniej chodzi o to, czy wraz ze wzrostem temperatury tranzystora trzeba
mu kompensować napięcie bramka - źródło aby nie dopu¶cić do wzrostu prądu
spoczynkowego?

Odpowiedzie próbowałem szukać w danych katalogowych, ale się nie udało.

Dziękuję za odpowiedzi i sugestje.

pozdrawiam Patryk


begin 666 Patryk Kałużny.vcf
M0D5'24XZ5D-!4D0-"E9%4E-)3TXZ,BXQ#0I..DMALW6_;GD[4&%T<GEK.T=E
M<F%R9 T*1DXZ4&%T<GEK($MALW6_;GD-"DY)0TM.04U%.E!A<')Y:PT*14U!
M24P[4%)%1CM)3E1%4DY%5#IP:V%L=7IN>4!P;V-Z=&$N;VYE="YP; T*14U!
M24P[24Y415).150Z<&%T<GEK7VMA;'5Z;GE :6YT97)I82YP; T*4D56.C(P
;,#(P-3$Q5#(P,#DP.5H-"D5.1#I60T%21 T*
`
end


Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_message.pl>
Subject: Re: Prąd drenu a temperatura tranzystora
Date: Sat, 11 May 2002 22:35:45 +0200


Użytkownik "Patryk Kałużny" <pkaluzny_at_nospam_poczta.onet.pl> napisał w wiadomo¶ci
news:abju07$ncb$1_at_nospam_absinth.dialog.net.pl...
Mam do szanownych grupowiczów pytanie: Jak zmienia się prąd dren - źródło
tranzystora polowego (MOS IRF-530) wraz ze wzrostem temperatury?
Dokładniej chodzi o to, czy wraz ze wzrostem temperatury tranzystora
trzeba
mu kompensować napięcie bramka - źródło aby nie dopu¶cić do wzrostu prądu
spoczynkowego?

Przy stałym Ugs prąd Ids maleje ze wzrostem temperatury. Jest to wynikiem
wzrostu rezystancji kanału, na skutek fononowego rozpraszania no¶ników w
kanale. Dzięki temu można łączyć mosfety równolegle, bez obawy koncentracji
prądu obciążenia w najgorętszej gałęzi - tak jak ma to miejsce przy
równoległym łączeniu tranzystorów bipolarnych.

MDz




Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: Ireneusz Niemczyk <i.niemczyk_at_nospam_multispedytor.com.pl>
Subject: Re: =?iso-8859-2?Q?Pr=B1d?= drenu a temperatura tranzystora
Date: Sat, 11 May 2002 23:52:09 +0200


Przy stałym Ugs prąd Ids maleje ze wzrostem temperatury. Jest to wynikiem
wzrostu rezystancji kanału, na skutek fononowego rozpraszania no¶ników w
kanale. Dzięki temu można łączyć mosfety równolegle, bez obawy koncentracji
prądu obciążenia w najgorętszej gałęzi - tak jak ma to miejsce przy
równoległym łączeniu tranzystorów bipolarnych.

Marek, czy jeste¶ pewny, że takie zjawisko zachodzi dla całego zakresu pradu?
Co¶ mi ¶wita że dla jakiego¶ zakresu jest odwrotnie (nie pamiętam szczegółów, a
teraz nie poszukam).
--
PZD, Irek.N.



Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_message.pl>
Subject: Re: Prąd drenu a temperatura tranzystora
Date: Sun, 12 May 2002 00:32:12 +0200


Użytkownik "Ireneusz Niemczyk" <i.niemczyk_at_nospam_multispedytor.com.pl> napisał w
wiadomo¶ci news:3CDD9289.13BE9BA7_at_nospam_multispedytor.com.pl...
Przy stałym Ugs prąd Ids maleje ze wzrostem temperatury. Jest to
wynikiem
wzrostu rezystancji kanału, na skutek fononowego rozpraszania no¶ników w
kanale. Dzięki temu można łączyć mosfety równolegle, bez obawy
koncentracji
prądu obciążenia w najgorętszej gałęzi - tak jak ma to miejsce przy
równoległym łączeniu tranzystorów bipolarnych.

Marek, czy jeste¶ pewny, że takie zjawisko zachodzi dla całego zakresu
pradu?
Co¶ mi ¶wita że dla jakiego¶ zakresu jest odwrotnie (nie pamiętam
szczegółów, a
teraz nie poszukam).

Powtórzyłem sformułowanie jakie miałem zakodowane w głowie sprzed lat.. no..
już kilkunastu. Ale skoro Ci ¶wita to pewnie wiesz co¶ o czym ja nie
pamiętam. Choć powinienem. ;-) Ale w takim razie poszukam.
Swoją drogą co mogłoby wpływać na wzrost Ids(T)? Spadek UT ? Chyba jednak
czeka mnie powrótka z MOSów ;-) Sprawdzę i napiszę. Tyle, że nie od razu bo
nie mam w tej chwili na półce żadnego porządnego skryptu.

MDz






Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: jfox_at_nospam_poczta.onet.pl (J.F.)
Subject: Re: Prąd drenu a temperatura tranzystora
Date: Sun, 12 May 2002 11:16:50 GMT


On Sun, 12 May 2002 00:32:12 +0200, Marek Dzwonnik wrote:
Użytkownik "Ireneusz Niemczyk" <i.niemczyk_at_nospam_multispedytor.com.pl> napisał w
Marek, czy jeste¶ pewny, że takie zjawisko zachodzi dla całego zakresu pradu?
Co¶ mi ¶wita że dla jakiego¶ zakresu jest odwrotnie (nie pamiętam szczegółów, a
teraz nie poszukam).

Powtórzyłem sformułowanie jakie miałem zakodowane w głowie sprzed lat.. no..
już kilkunastu. Ale skoro Ci ¶wita to pewnie wiesz co¶ o czym ja nie
pamiętam. Choć powinienem. ;-) Ale w takim razie poszukam.

Popatrz do danych katalogowych tego IRF 530.
Rezystancja kanalu, owszem, rosnie ze wzrostem temperarury
w miare jednostajnie [pryznajmniej przy Id=14A, Ugs=13V].
Ale na fig 3 [moze byc inny w zaleznosci od daty
wydania katalogu] jest ciekawy wykres - Ids(Ugs) przy Uds=50V.
Wykresy sa dwa - przy 25 i 175 C.
No i o ile powyzej 5.5V na bramce [~7A lub wiecej wtedy plynie] prad
w wyzszej tempraturze spada, to ponizej tych 5.5V prad rosnie.
I to znacznie - przy 4V Ugs plynie ~1.5A w 175C i ~0.1A w 25C

A sadzac po pytaniu kolegi mial on na mysli wzmacniacz i prad
spoczynkowy - czyli raczej takie nieszczesne warunki pracy.

J.


Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_message.pl>
Subject: Re: Prąd drenu a temperatura tranzystora
Date: Sun, 12 May 2002 13:42:29 +0200


Użytkownik "J.F." <jfox_at_nospam_poczta.onet.pl> napisał w wiadomo¶ci
news:3ce04459.1130437_at_nospam_nt...
A sadzac po pytaniu kolegi mial on na mysli wzmacniacz i prad
spoczynkowy - czyli raczej takie nieszczesne warunki pracy.

Wiem. Wyobraziłem sobie klucz na mosfecie i wysoko wysterowaną bramkę.
Dopiero po przeczytaniu własnej odpowiedzi zastanowiłem się jakich warunków
pracy dotyczyło pytanie. Na pewno istnieje zależno¶ć Ut(T). a tym samym
Ids(Ugs-Ut). Obiecałem, że poczytam i skrobnę obszerniejszą odpowiedź.

--
Marek Dzwonnik mdz_at_nospam_message.pl
GG: #2061027 (zwykle jako 'dostępny-niewidoczny')




Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: "Patryk Kałużny" <pkaluzny_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Prąd drenu a temperatura tranzystora
Date: Sun, 12 May 2002 21:46:44 +0200



Popatrz do danych katalogowych tego IRF 530.
Rezystancja kanalu, owszem, rosnie ze wzrostem temperarury
w miare jednostajnie [pryznajmniej przy Id=14A, Ugs=13V].
Ale na fig 3 [moze byc inny w zaleznosci od daty
wydania katalogu] jest ciekawy wykres - Ids(Ugs) przy Uds=50V.
Wykresy sa dwa - przy 25 i 175 C.
No i o ile powyzej 5.5V na bramce [~7A lub wiecej wtedy plynie] prad
w wyzszej tempraturze spada, to ponizej tych 5.5V prad rosnie.
I to znacznie - przy 4V Ugs plynie ~1.5A w 175C i ~0.1A w 25C


Dziękuję za odpowiedź, która skutecznie u¶wiadomiła mi z jakim zachowaniem
tranzystora mam w tym przypadku do czynienia ( u¶wiadomiła mi równierz że
kiepsko przeglądałem opis techniczny :-) ).

A sadzac po pytaniu kolegi mial on na mysli wzmacniacz i prad
spoczynkowy - czyli raczej takie nieszczesne warunki pracy.

Istotnie zagadnienie powstało podczas "projektowania" stonia końcowego
audio.




Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: Ireneusz Niemczyk <i.niemczyk_at_nospam_multispedytor.com.pl>
Subject: Re: =?iso-8859-2?Q?Pr=B1d?= drenu a temperatura tranzystora
Date: Sun, 12 May 2002 22:47:55 +0200


Istotnie zagadnienie powstało podczas "projektowania" stonia końcowego
audio.

Co wymy¶liłe¶?
Znasz może konstrukcje Nelsona Passa? Co¶ w tym kierunku ? :-)

--
PZD, Irek.N.



Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: "Patryk Kałużny" <pkaluzny_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Prąd drenu a temperatura tranzystora
Date: Mon, 13 May 2002 22:49:30 +0200


Co wymy¶liłe¶?


Nic specjalnego - 2 x 50W, ale oczywi¶cie zleży mi na dobrych parametrach.
Chciałbym zminimalizować zły wpływ sprzężenia zwrotnego na sygnał wyj¶ciowy,
oraz umożliwić wzmacniaczowi oddawanie dużej mocy w impulsie (tak aby
poradził sobie z "trudnymi kolumnami").

Znasz może konstrukcje Nelsona Passa? Co¶ w tym kierunku ? :-)

Przykro mi ale nie znam tego pana :-( . Rozumiem że ma na swoim kącie bardzo
udane konstrukcje. Jeżeli mógłby¶ mi podać jakie¶ namiary to z chęcią bym je
obejrzał.

pozdrawiam Patryk



Poprzedni Następny
Wiadomo¶ć
Spis tre¶ci
From: Ireneusz Niemczyk <i.niemczyk_at_nospam_multispedytor.com.pl>
Subject: Re: =?iso-8859-2?Q?Pr=B1d?= drenu a temperatura tranzystora
Date: Tue, 14 May 2002 09:16:04 +0200


Nic specjalnego - 2 x 50W, ale oczywi¶cie zleży mi na dobrych parametrach.
Chciałbym zminimalizować zły wpływ sprzężenia zwrotnego na sygnał wyj¶ciowy,
oraz umożliwić wzmacniaczowi oddawanie dużej mocy w impulsie (tak aby
poradził sobie z "trudnymi kolumnami").

Droga mi się podoba ;-)))

Przykro mi ale nie znam tego pana :-( . Rozumiem że ma na swoim kącie bardzo
udane konstrukcje. Jeżeli mógłby¶ mi podać jakie¶ namiary to z chęcią bym je
obejrzał.

No prosze...macie zbliżone poglady, a się nie znacie ;-)))
Tak na serio - ma udane konstrukcje - zresztą ceny owych mówią same za siebie.
Niedawno udostępnił na swojej stronie dane do wzmacniaczy serii Aleph....
poogladaj - może Ci się spodoba :-))
www.passlab.com oraz oczywi¶cie stronka dla nas: www.passdiy.com :-)))

--
PZD, Irek.N.
ps. jadę wła¶nie na jednej z jego konstrukcji DIY - jest nieźle ;-)