=?ISO-8859-2?B?VHJ6bnp5c3RvciBwcnpls7FjemFqsWN5IG1hs2VqIG1vY3k=?=



Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?VHJ6bnp5c3RvciBwcnpls7FjemFqsWN5IG1hs2VqIG1vY3k=?=


Hello All,

Pracuję nad szybkim układem sterowania MOSFETów o dużej pojemności
wejściowej i millerowskiej. I mam kłopot z wyborem tranzystora
'gaszącego' MOSFETa. Do 'zgaszenia' takiego MOSFETa w rozsądnym
czasie - powiedzmy 150 ns - potrzeba prądu rzędu 0.5 - 1 A. W zapasach
mam tranzystory dość szybkie: BC807 i BC635, których parametry mnie
zadowalają i wszystko byłoby fajnie, ale producenci skubani nie
ujawnili ich czasów przełączania :-(

Z Millerem tych tranzystorów sobie poradzę - steruję je dość potężnym
prądem bazy - rzędu 50 mA (w obu kierunkach!), natomiast brakuje mi
danych na temat wyjścia z nasycenia tych tranzystorów. Teoretycznie
mógłbym podłączyć między bazę i kolektor małą Szczotkę ale trochę
żal...

Może znacie jakiś inny, szybki tranzystor NPN sprawdzony w układzie
'gaszenia' MOSFETa? Napięcie pracy niewysokie, za to musi dawać
jeszcze przyzwoite wzmocnienie (min. 20) przy Ic = 1 A no i zgrabnie
wychodzić z nasycenia...

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!news.pw.edu.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Ukaniu" <l99ukasz_at_nospam_WYWALTOgazeta.pl>
Subject: =?iso-8859-2?Q?Re:_Trznzystor_prze=B3=B1czaj=B1cy_ma=B3ej_mocy?=
Date: Sun, 13 Jun 2004 21:29:34 +0200



Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" <roman_at_nospam_pik-net.pl> napisał w wiadomości
news:309999679.20040613210054_at_nospam_pik-net.pl...
Hello All,

Pracuję nad szybkim układem sterowania MOSFETów o dużej pojemności
wejściowej i millerowskiej. I mam kłopot z wyborem tranzystora
'gaszącego' MOSFETa. Do 'zgaszenia' takiego MOSFETa w rozsądnym
czasie - powiedzmy 150 ns - potrzeba prądu rzędu 0.5 - 1 A. W zapasach
mam tranzystory dość szybkie: BC807 i BC635, których parametry mnie
zadowalają i wszystko byłoby fajnie, ale producenci skubani nie
ujawnili ich czasów przełączania :-(


Witam
Mój ulubiony 2N2369 się nie nada bo ma za małę IC max ;(
Ale może stare dobre BSX59 ok 100ns t off przy iB 50mA.

Pozdrawiam Łukasz


========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Sun, 13 Jun 2004 21:44:11 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IFRyem56eXN0b3IgcHJ6ZbOxY3pharFjeSBtYbNlaiBtb2N5?=


Hello Ukaniu,

Sunday, June 13, 2004, 9:29:34 PM, you wrote:

[...]

mam tranzystory dość szybkie: BC807 i BC635, których parametry mnie
zadowalają i wszystko byłoby fajnie, ale producenci skubani nie
ujawnili ich czasów przełączania :-(
Mój ulubiony 2N2369 się nie nada bo ma za małę IC max ;(
Ale może stare dobre BSX59 ok 100ns t off przy iB 50mA.

Nawet 60 ns :-) Ale porównałem dane dotyczące pasma i pojemności - i
sądząc tylko po tym, dochodzę do wniosku, że jednak BC807 powinien
starczyć a nawet ze Szczotką będzie tańszy niż BSX59. Na dokładkę mam
ich spory zapas.
W najbardziej krytycznym momencie, czy przy 'gaszeniu' MOSFETa i tak
pracuje w zakresie mniej więcej liniowym, na dokładkę razem z MOSFETem
i wtórnikiem w układzie dodatniego sprzężenia zwrotnego
(galwanicznego, nie przez trafo) - wyrobi się.
Obawiałem się czasów wyłączenia rzędu 500 ns - to mi chyba jednak nie
grozi :-)

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!news.pw.edu.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Ukaniu" <l99ukasz_at_nospam_WYWALTOgazeta.pl>
Subject: =?iso-8859-2?Q?Re:_Trznzystor_prze=B3=B1czaj=B1cy_ma=B3ej_mocy?=
Date: Sun, 13 Jun 2004 22:19:39 +0200



Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" <roman_at_nospam_pik-net.pl> napisał w wiadomości
news:1714311921.20040613214411_at_nospam_pik-net.pl...
Nawet 60 ns :-) Ale porównałem dane dotyczące pasma i pojemności - i
sądząc tylko po tym, dochodzę do wniosku, że jednak BC807 powinien
starczyć a nawet ze Szczotką będzie tańszy niż BSX59. Na dokładkę mam
ich spory zapas.

Wydaje mi się że porównywanie parametrów małosygnałowych przy pracy jako
klucz będzie miało mały efekt praktyczny (trzeba by zmierzyć te tranziaki).
Jeśłi producent nie podaje wartości pewnie czasy wyłączania będą koszmarnie
duże, mimo wysokiego ft.(chyba dobrze piszę ?)
BSX jest ZTCW domieszkowany złotem i ma bardzo dobre własności przystosowane
do pracy jako klucz nasycony.
Z ciekawością poczytam o efektach pomiarów tych tranziaków BC.

Pozdrawiam Łukasz


========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Sun, 13 Jun 2004 22:33:51 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IFRyem56eXN0b3IgcHJ6ZbOxY3pharFjeSBtYbNlaiBtb2N5?=


Hello Ukaniu,

Sunday, June 13, 2004, 10:19:39 PM, you wrote:

Nawet 60 ns :-) Ale porównałem dane dotyczące pasma i pojemności - i
sądząc tylko po tym, dochodzę do wniosku, że jednak BC807 powinien
starczyć a nawet ze Szczotką będzie tańszy niż BSX59. Na dokładkę mam
ich spory zapas.
Wydaje mi się że porównywanie parametrów małosygnałowych przy pracy jako
klucz będzie miało mały efekt praktyczny (trzeba by zmierzyć te tranziaki).
Jeśłi producent nie podaje wartości pewnie czasy wyłączania będą koszmarnie
duże, mimo wysokiego ft.(chyba dobrze piszę ?)
BSX jest ZTCW domieszkowany złotem i ma bardzo dobre własności przystosowane
do pracy jako klucz nasycony.

Dlatego zrezygnuję z nasycania - nie jest konieczne - i tak liczy się
tylko odprowadzenie ładunku z bramki MOSFETa.

Z ciekawością poczytam o efektach pomiarów tych tranziaków BC.

Podam wyniki pracy układu (czasy narastania/opadania) - a jak mi ktoś
pożyczy oscyloskop dwukanałowy, to uzyskane opóźnienia.

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: ladzk_at_nospam_waw.pdi.net (Dariusz K. Ladziak)
Subject: Re: =?ISO-8859-2?B?VHJ6bnp5c3RvciBwcnpls7FjemFqsWN5IG1hs2VqIG1vY3k=?=
Date: Sun, 13 Jun 2004 22:57:57 GMT


On Sun, 13 Jun 2004 21:00:54 +0200, RoMan Mandziejewicz
<roman_at_nospam_pik-net.pl> wrote:

Z Millerem tych tranzystorów sobie poradzę - steruję je dość potężnym
prądem bazy - rzędu 50 mA (w obu kierunkach!), natomiast brakuje mi
danych na temat wyjścia z nasycenia tych tranzystorów. Teoretycznie
mógłbym podłączyć między bazę i kolektor małą Szczotkę ale trochę
żal...

To niech ci nie bedzie zal. Czasy wyjscia z nasycenia mozna sobie
szacowac z teoretycznych modeli - a nie podaja bo poza tranzystorami
bipolarnymi impulsowymi nikt w ogole nie zaklada sytuacji
wyprowadzania tranzystora z nasycenia - tranzystora w nasycenie
wprowadzac po prostu nie nalezy! Czasy wyjscia z nasycenia sa
koszmarne - jesli mozna jedna glupia diodka Shottky'ego klopotu sie
pozbyc (albo zrobic uklad roznicowy nie wchodzacy w nasycenie) to nie
ma sie nad czym zastanawiac. Praw fizyki pan nie zmienisz...

--
Darek

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "SP9LWH" <spam_at_nospam_autorom.pl>
Subject: Re: Trznzystor przełączający małej mocy
Date: Mon, 14 Jun 2004 09:38:45 +0200



Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" <roman_at_nospam_pik-net.pl> napisał w wiadomości
news:309999679.20040613210054_at_nospam_pik-net.pl...
Pracuję nad szybkim układem sterowania MOSFETów o dużej pojemności
wejściowej i millerowskiej. I mam kłopot z wyborem tranzystora
'gaszącego' MOSFETa. Do 'zgaszenia' takiego MOSFETa w rozsądnym
czasie - powiedzmy 150 ns - potrzeba prądu rzędu 0.5 - 1 A. W zapasach

Co to jest duża pojemność ?
Klasyczne rozwiązanie jest nie dobre ?
1A/2V/150ns to C=75nF
Jaki katalogowy czas wyłączania ma ten MOSFET ?
Bo tego czasu nie da się skrócić .

Dla 75nF i 150ns ja bym użył BC556 z opornikiem baza kolektor 100 Om (prąd
bazy 0,1A), spodziewając się czasu narastania napięcia drenu 100ns (IRF3415
10%/90% 0/100V)

Dlatego dziwię się, ze Twoje tranzystory są niedobre
Może masz je za daleko od bramki?
Może powolność narastania napięcia drenu nie wynika ze złego sterowania, a
braku (zbyt małego) prądu drenu do wyłączenia ?



========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Mon, 14 Jun 2004 11:52:06 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IFRyem56eXN0b3IgcHJ6ZbOxY3pharFjeSBtYbNlaiBtb2N5?=


Hello SP9LWH,

Monday, June 14, 2004, 9:38:45 AM, you wrote:

Pracuję nad szybkim układem sterowania MOSFETów o dużej pojemności
wejściowej i millerowskiej. I mam kłopot z wyborem tranzystora
'gaszącego' MOSFETa. Do 'zgaszenia' takiego MOSFETa w rozsądnym
czasie - powiedzmy 150 ns - potrzeba prądu rzędu 0.5 - 1 A. W zapasach
Co to jest duża pojemność ?
Klasyczne rozwiązanie jest nie dobre ?
1A/2V/150ns to C=75nF
Jaki katalogowy czas wyłączania ma ten MOSFET ?
Bo tego czasu nie da się skrócić .

Wiem.

Dla 75nF i 150ns ja bym użył BC556 z opornikiem baza kolektor 100 Om (prąd
bazy 0,1A), spodziewając się czasu narastania napięcia drenu 100ns (IRF3415
10%/90% 0/100V)

Nie ma problemu z czasem narastania - 'gaszenie' MOSFETa odbywa się
przy w miarę liniowej pracy tranzystora sterującego i faktycznie
wystarczy duży prąd sterujący, żeby sprawnie 'zgasić'.
Chodzi o włączanie MOSFETa.

Dlatego dziwię się, ze Twoje tranzystory są niedobre
Może masz je za daleko od bramki?
Może powolność narastania napięcia drenu nie wynika ze złego sterowania, a
braku (zbyt małego) prądu drenu do wyłączenia ?

Nie zrozumiałeś problemu. Często się zdarza, że tranzystory o pozornie
dobrym parametrach bardzo wolno wychodzą ze stanu nasycenia. I co z
tego, że walnę mu prądem -0.1A w bramkę, skoro on i tak sobie
'poczeka'. Jestem na etapie projektu a nie wykonania i chcę uniknąć
błędnego wyboru tranzystora sterującego.
Ale myślę, że problem sam sobie stworzyłem - po prostu nie pozwolę na
wejście tranzystora sterującego w głębokie nasycenie i z głowy.

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "SP9LWH" <spam_at_nospam_autorom.pl>
Subject: Re: Trznzystor przełączający małej mocy
Date: Mon, 14 Jun 2004 15:15:06 +0200



Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" <roman_at_nospam_pik-net.pl> napisał w wiadomości
news:38241271.20040614115206_at_nospam_pik-net.pl...

wejściowej i millerowskiej. I mam kłopot z wyborem tranzystora
'gaszącego' MOSFETa. Do 'zgaszenia' takiego MOSFETa w rozsądnym

Chodzi o włączanie MOSFETa.

To gdzie źle przeczytałem ?
Włączanie i wyłaczanie "klasyczne" jest takie same ( półmostek). Prąd
ogranicza szeregowy opornik w bramce MOSFETa

Nie zrozumiałeś problemu.

Zdecydowanie!

Często się zdarza, że tranzystory o pozornie
dobrym parametrach bardzo wolno wychodzą ze stanu nasycenia. I co z
tego, że walnę mu prądem -0.1A w bramkę, skoro on i tak sobie
'poczeka'.

Zapewne
MOSFET dobrze obciążony to 10V napięcia dren źródło, a w każdym razie więcej
niż wolt :-)


Ale myślę, że problem sam sobie stworzyłem - po prostu nie pozwolę na
wejście tranzystora sterującego w głębokie nasycenie i z głowy.

MOSFET to nie bipolarny. Zrób eksperyment.
Prąd reguluj testową rezystancja szeregową.Nie daj jej ani za małej ani za
dużej , bo MOSFET szlag trafi.

Trochę MOSFETów wytłukłem, ale problemów ze stromościami załączania ani
wyłączania nie miałem.
Ja co prawda poruszam się wśród dużych prądów bramek (zawsze więcej niż 1A).
"Drobnicą" się mało przejmuję.



========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Mon, 14 Jun 2004 15:28:13 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IFRyem56eXN0b3IgcHJ6ZbOxY3pharFjeSBtYbNlaiBtb2N5?=


Hello SP9LWH,

Monday, June 14, 2004, 3:15:06 PM, you wrote:

wejściowej i millerowskiej. I mam kłopot z wyborem tranzystora
'gaszącego' MOSFETa. Do 'zgaszenia' takiego MOSFETa w rozsądnym
Chodzi o włączanie MOSFETa.
To gdzie źle przeczytałem ?
Włączanie i wyłaczanie "klasyczne" jest takie same ( półmostek). Prąd
ogranicza szeregowy opornik w bramce MOSFETa

O masz! Mowa o nasycaniu tranzystora sterującego...

Nie zrozumiałeś problemu.
Zdecydowanie!

-)

Często się zdarza, że tranzystory o pozornie
dobrym parametrach bardzo wolno wychodzą ze stanu nasycenia. I co z
tego, że walnę mu prądem -0.1A w bramkę, skoro on i tak sobie
'poczeka'.
Zapewne
MOSFET dobrze obciążony to 10V napięcia dren źródło, a w każdym razie więcej
niż wolt :-)

Tfu! Z tego wszystkiego sam się zapętliłem. Nie w bramkę tylka w bazę

Ale myślę, że problem sam sobie stworzyłem - po prostu nie pozwolę na
wejście tranzystora sterującego w głębokie nasycenie i z głowy.
MOSFET to nie bipolarny.

Patrz wyżej.

Zrób eksperyment.
Prąd reguluj testową rezystancja szeregową.Nie daj jej ani za małej ani za
dużej , bo MOSFET szlag trafi.

Dawno zrobione :-) Radzę sobie bez rezystancji szeregowej.

Trochę MOSFETów wytłukłem, ale problemów ze stromościami załączania ani
wyłączania nie miałem.

Nie chodzi o stromość - to jest problem banalny. Chodzi o opóźnienie
wyjścia ze stanu nasycenia bipolarnego tranzystora sterującego. To ma
być 'wzorcowy' układ sterujący, wprowadzający małe opóźnienia. Chodzi
o uniezależnienie (w miarę możliwości) wyników pomiarów od parametrów
układu sterującego - stąd duże prądy i rozpatrywania stanów nasycenia
tranzystorów bipolarnych.

Ja co prawda poruszam się wśród dużych prądów bramek (zawsze więcej niż 1A).
"Drobnicą" się mało przejmuję.

A jak sterujesz?

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "SP9LWH" <spam_at_nospam_autorom.pl>
Subject: Re: Trznzystor przełączający małej mocy
Date: Mon, 14 Jun 2004 16:59:41 +0200



Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" <roman_at_nospam_pik-net.pl> napisał w wiadomości
news:1537606962.20040614152813_at_nospam_pik-net.pl...
A jak sterujesz?

"Klasycznie". Jeśli MOSFET słaby to któryś z dedykowanych scalaków
"driverów"
Ale dla grupy równoległej 40xIRF3415 już "ulubiony półmostek dyskretny"
IRF9510/IRF510 zasilany z 15V rozwiązuje problem. Tam zaczyna być problem
oscylacji napięcia sterującego na indukcyjnościach doprowadzeń- 1 omowe
oporniki w bramkach są pożądane, a i dioda zwrotna się przydaje:-)

Ja wyczuwam, ze ty masz nasycony tranzystor zwierający bramkę ze źródłem ?
Jeśli tak to ja bym go jednak forsował, dając mu w bazie duży opornik z
równoległym kondensatorem , a przede wszystkim opornik między jego
kolektorem, a +zasilania jest potrzebny - problemu nasycenia nie będzie dla
częstotliwości akustycznych.

Ale 0,5us opóźnienia wyjścia z nasycenia BC211 to stanowczo za dużo jak na
mój gust, chyba, że prąd bazy 0,1A, a prąd kolektora 1uA:-)



========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Mon, 14 Jun 2004 17:46:41 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IFRyem56eXN0b3IgcHJ6ZbOxY3pharFjeSBtYbNlaiBtb2N5?=


Hello SP9LWH,

Monday, June 14, 2004, 4:59:41 PM, you wrote:

"Klasycznie". Jeśli MOSFET słaby to któryś z dedykowanych scalaków
"driverów"
Ale dla grupy równoległej 40xIRF3415 już "ulubiony półmostek dyskretny"
IRF9510/IRF510 zasilany z 15V rozwiązuje problem. Tam zaczyna być problem
oscylacji napięcia sterującego na indukcyjnościach doprowadzeń- 1 omowe
oporniki w bramkach są pożądane, a i dioda zwrotna się przydaje:-)

Będę musiał sprawdzić te oscylacje... Ale nie mam tak dobrego
oscyloskopu :-(

Ja wyczuwam, ze ty masz nasycony tranzystor zwierający bramkę ze źródłem ?

Dokładnie.

Jeśli tak to ja bym go jednak forsował, dając mu w bazie duży opornik z
równoległym kondensatorem ,

Oczywiste.

a przede wszystkim opornik między jego kolektorem, a +zasilania jest potrzebny

Nie lubię generować strat - tam jest coś lepszego :-)

- problemu nasycenia nie będzie dla częstotliwości akustycznych.

Chodzi o 'ciut' wyższe częstotliwości - rzędu setek kHz...

Ale 0,5us opóźnienia wyjścia z nasycenia BC211 to stanowczo za dużo jak na
mój gust, chyba, że prąd bazy 0,1A, a prąd kolektora 1uA:-)

To wtedy nie byłoby nasycenie tylko prosty efekt Millera :-)

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "SP9LWH" <spam_at_nospam_autorom.pl>
Subject: Re: Trznzystor przełączający małej mocy
Date: Mon, 14 Jun 2004 15:41:51 +0200



Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" <roman_at_nospam_pik-net.pl> napisał w wiadomości
news:38241271.20040614115206_at_nospam_pik-net.pl...

Uważam, ze główny problem z MOSFETem, to efekt Millera - liniowego zakresu
napięcia bramki 4....6V nie da zbyt szybko pokonać.
Nasycenie bym zaniedbał, ale spece od PSPICE może mają inny pogląd



========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Mon, 14 Jun 2004 15:51:29 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IFRyem56eXN0b3IgcHJ6ZbOxY3pharFjeSBtYbNlaiBtb2N5?=


Hello SP9LWH,

Monday, June 14, 2004, 3:41:51 PM, you wrote:

Uważam, ze główny problem z MOSFETem, to efekt Millera - liniowego zakresu
napięcia bramki 4....6V nie da zbyt szybko pokonać.

To się pokonuje dużym prądem bramki. Tak samo pokonuje sie Millera
prądem bazy w bipolarnych.

Nasycenie bym zaniedbał, ale spece od PSPICE może mają inny pogląd

Nie używam PSPICE. Natomiast pamiętam, że taki BC211 z nasycenia
wygrzebywał się przez ponad 0.5 us mając dobre inne parametry... W
zakresie liniowym pracował nawet szybko a nasycenie doprowadzało go do
głupawki :-( Obciążenie indukcyjne ładnie 'wyciąga' tranzystor z
nasycenia - ale tutaj mamy obciążenie pojemnościowe (bramka MOSFETa),
które jeszcze utrudnia życie.

Myślę, że ciągnięcie wątku nie ma sensu - rozwiązanie problemu jest
dość proste - nie pozwolić wejść tranzystorowi w głębokie nasycenie
(Szczotka pomiędzy bazę a kolektor).

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: J.F. <jfox_nospam_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Trznzystor przełączający małej mocy
Date: Mon, 14 Jun 2004 17:56:33 +0200


On Mon, 14 Jun 2004 15:41:51 +0200, SP9LWH wrote:

Uważam, ze główny problem z MOSFETem, to efekt Millera - liniowego zakresu
napięcia bramki 4....6V nie da zbyt szybko pokonać.
Nasycenie bym zaniedbał, ale spece od PSPICE może mają inny pogląd

Wyjscie z nasycenia jest istotnym problemem ... ale chyba nie tu :-)

Bo faktrycznie - ile opozni wlaczenie mosfeta to malo istotne,
wazne ze do tych ~1V mosfet jest ciagle zamkniety, a potem tranzystor
wyszedl.
Tylko glupio tak troche przeciazac gorny tranzystor sterujacy.
Ale kondensator w bazie tu chyba wystarczy.

J.




========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Mon, 14 Jun 2004 18:47:58 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IFRyem56eXN0b3IgcHJ6ZbOxY3pharFjeSBtYbNlaiBtb2N5?=


Hello J,

Monday, June 14, 2004, 5:56:33 PM, you wrote:

Uważam, ze główny problem z MOSFETem, to efekt Millera - liniowego zakresu
napięcia bramki 4....6V nie da zbyt szybko pokonać.
Nasycenie bym zaniedbał, ale spece od PSPICE może mają inny pogląd
Wyjscie z nasycenia jest istotnym problemem ... ale chyba nie tu :-)

Tu też - chcę potestować MOSFETy na kilkuset kHz...

Bo faktrycznie - ile opozni wlaczenie mosfeta to malo istotne,

Jest istotne - rośnie czas martwy.

wazne ze do tych ~1V mosfet jest ciagle zamkniety,

Nawet więcej niż 1V.

a potem tranzystor wyszedl.

Zgadza się.

Tylko glupio tak troche przeciazac gorny tranzystor sterujacy.

Nie ma problemu - są układy, które nie przeciążają... I własnie będę
to sprawdzał :-)

Ale kondensator w bazie tu chyba wystarczy.

Ile razy jeszcze to zobaczę? Jest kondensator. I trzy rezystory.

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai