Najczestsze uszkodzenia MOSFETow



Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "T.M.F." <tfrancuz_at_nospam_nospam.mp.pl>
Subject: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Thu, 08 Jul 2004 19:04:47 +0200


Mam pytanie dotyczace przyczyn uszodzenia MOSFETow. Czy zdarza sie
przebicie zrodlo->bramka lub dren->bramka? Oczywiscie zakladajac
prawidlowe warunki pracy tranzystora.
Jakie sa typowe uszkodzenia tych tranzystorow? Zwarcie zrodlo<->dren czy
moze rozwacie tych elektrod ?
Dzieki za informacje.



--
Inteligentny dom - http://idom.wizzard.one.pl
Teraz takze forum dyskusyjne
Zobacz, wyslij uwagi, dolacz sie do projektu.

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!mat.uni.torun.pl!news.man.torun.pl!newsfeed.pionier.net.pl!news.dialog.net.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Jacek Bogusz" <jacek.bogusz_at_nospam_ep.com.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Thu, 8 Jul 2004 19:51:22 +0200


Mam pytanie dotyczace przyczyn uszodzenia MOSFETow. Czy zdarza sie
przebicie zrodlo->bramka lub dren->bramka? Oczywiscie zakladajac
prawidlowe warunki pracy tranzystora.

Zakladajac prawidlowe warunki pracy, nie zdarza sie wcale.

Jakie sa typowe uszkodzenia tych tranzystorow? Zwarcie zrodlo<->dren czy
moze rozwacie tych elektrod ?

Powinienes chyba siegnac do literatury. Na przyklad "W.Marciniak: Przyrzady
pólprzewodnikowe i uklady scalone." Dowiedzialbys sie, ze sa tranzystory
normalnie otwarte i normalnie zamkniete. Zamiast marudzic - poczytaj
nieco...

Jacek



========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "SP9LWH" <spam_at_nospam_autorom.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Thu, 8 Jul 2004 20:01:49 +0200



Uzytkownik "T.M.F." <tfrancuz_at_nospam_nospam.mp.pl> napisal w wiadomosci
news:deb0s1-gs9.ln1_at_nospam_www.wizzard.one.pl...
Jakie sa typowe uszkodzenia tych tranzystorow? Zwarcie zrodlo<->dren czy

Zwarcie bramka - dren i zródlo dren
Na rozwarcie nie padaja, chyba, ze po wybuchu lub sporadycznie gdy noga sie
oberwie wewnatrz



========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!www.wizzard.one.pl!new

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "T.M.F." <tfrancuz_at_nospam_nospam.mp.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Thu, 08 Jul 2004 23:54:16 +0200


Jakie sa typowe uszkodzenia tych tranzystorow? Zwarcie zrodlo<->dren czy


Zwarcie bramka - dren i zródlo dren
Na rozwarcie nie padaja, chyba, ze po wybuchu lub sporadycznie gdy noga sie
oberwie wewnatrz

Dzieki za info. Warto wiec zabezpieczac jakos uklad, zeby po takim
zwarciu nie posypalo sie dalej? Jesli tak to jak to w prosty sposob
zrobic? Niechcialbym, zeby mi poszlo np. 24V na noge procka, z drugiej
strony transoptor wydaje mi sie przerostem formy nad trescia.


--
Inteligentny dom - http://idom.wizzard.one.pl
Teraz takze forum dyskusyjne
Zobacz, wyslij uwagi, dolacz sie do projektu.

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "greg" <xgrzes_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Fri, 9 Jul 2004 00:47:14 +0200


wsadz resystor kilkaset omow w szereg z bramka i zenerke 4.7..5.1V przy
procku....



========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Fri, 9 Jul 2004 01:02:45 +020

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow


Hello greg,

Friday, July 9, 2004, 12:47:14 AM, you wrote:

wsadz resystor kilkaset omow w szereg z bramka i zenerke 4.7..5.1V przy
procku....

To koszmarnie spowolni MOSFETa...

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!newsfeed.silweb.pl!polsl.gliwice.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "T.M.F." <tfrancuz_at_nospam_mp.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Fri, 09 Jul 2004 12:12:02 +0200


greg wrote:

wsadz resystor kilkaset omow w szereg z bramka i zenerke 4.7..5.1V przy
procku....


Dzieki, wsadze nawet rezystorek jakies 50kom, predkosc przelaczania jest
bez znaczenia, a za zenerki zrobia diody zabezpieczajace wyjscie proca,
powinna uciac do Vcc+0,6V, byle pradu diody nie przekroczyc.
Dzieki za pomoc.

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "SP9LWH" <spam_at_nospam_autorom.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Fri, 9 Jul 2004 11:42:37 +0200



Użytkownik "T.M.F." <tfrancuz_at_nospam_nospam.mp.pl> napisał w wiadomości
news:7ds0s1-gl1.ln1_at_nospam_www.wizzard.one.pl...
Dzieki za info. Warto wiec zabezpieczac jakos uklad, zeby po takim
zwarciu nie posypalo sie dalej? Jesli tak to jak to w prosty sposob
zrobic? Niechcialbym, zeby mi poszlo np. 24V na noge procka, z drugiej
strony transoptor wydaje mi sie przerostem formy nad trescia.

Nie posypie się dalej.:-)
Czym ty tego MOSFETe sterujesz? wyjściem procesora ? Gdzie masz jakiś
wydajny "driver" ???
Bez względu na to zwarcie bramka-dren ograniczy napięcie na bramce do
napięcia progowego MOSFETa, a zwarcie dren źródło wywali zasilanie lub
ograniczy napięcie na bramce do wartości bezpiecznych.

Myślę tu o typowych HEXFET MOSFET takich jak np.: IRF540.



========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!feed.news.interia.pl!news.cyf-kr.edu.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!newsfeed.silweb.pl!polsl.gliwice.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "T.M.F." <tfrancuz_at_nospam_mp.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Fri, 09 Jul 2004 12:10:22 +0200


Nie posypie się dalej.:-)
Czym ty tego MOSFETe sterujesz? wyjściem procesora ? Gdzie masz jakiś
wydajny "driver" ???

Nie uzywam driwera, wstawiam logic-level MOSFET, a na super predkosci
przelaczania mi nie zalezy bo to ma sterowac elektrozaworem.
Dzieki za pomoc.

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: J.F. <jfox_nospam_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Fri, 09 Jul 2004 12:37:43 +0200


On Fri, 09 Jul 2004 12:10:22 +0200, T.M.F. wrote:
Nie uzywam driwera, wstawiam logic-level MOSFET,

Sprawdz napiecia - moze byc za malo ... i za wolno bo za mala
wydajnosc pradowa procka.
No i z procka to ci spalenie nie grozi.

a na super predkosci przelaczania mi nie zalezy bo to ma sterowac elektrozaworem.

Tu nie chodzi o elektrozawor, tylko o tranzystor. Jak sie wolno
przelacza to sie na nim duza moc wydziela [np chwilowe 6V*1A = 6W].
A ta moze przepalic tranzystor.

Co prawda jedno przelaczenie to mu raczej nie zaszkodzi, ale
jak kiedys bedziesz chcial potrenowac PWM to uwazaj.

J.


========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!newsfeed.silweb.pl!polsl.gliwice.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "T.M.F." <tfrancuz_at_nospam_mp.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Fri, 09 Jul 2004 13:18:56 +0200


a na super predkosci przelaczania mi nie zalezy bo to ma sterowac elektrozaworem.

Tu nie chodzi o elektrozawor, tylko o tranzystor. Jak sie wolno
przelacza to sie na nim duza moc wydziela [np chwilowe 6V*1A = 6W].
A ta moze przepalic tranzystor.

Co prawda jedno przelaczenie to mu raczej nie zaszkodzi, ale
jak kiedys bedziesz chcial potrenowac PWM to uwazaj.

Sluszna uwaga, nie pomyslalem o tym. Ale tranzystor ktory chce
zastosowac (wlasciwie dwa w obudowie SOT08) ma niskie napiecie bramki
przy ktorym sie otwiera (przy 2,2V max IDS 3x przekracza wartosc
katalogowa dla tego tranzystora, a RDS przy 3V to 0,058moma. U mnie ma
przelaczac max. 1A w szczycie, typowo jakies 100mA.

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!news.pop.e-wro.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: Tomasz Piasecki <mtbrider_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Date: Thu, 08 Jul 2004 20:13:45 +0200


T.M.F. wrote:
Jakie sa typowe uszkodzenia tych tranzystorow? Zwarcie zrodlo<->dren czy
moze rozwacie tych elektrod ?
Sądząc po wynikach osiąganych przez studentów na laboratorium "Przyrządy
Półprzewodnikowe", uwala się bramka bądź też przebija cała struktura
przez co wszystkie nogi są zwarte.

Co prawda trudno warunki pracy tych tranzystorów określić jako normalne,
ale według mojej mikroelektronicznej wiedzy, właśnie uszkodzenie
izolacji bramkowej stawiałbym na czele uszkodzeń.

TP.

--
| _ _ _ |
| _____ _| |_| | __ (o) | | __ __ _at_nospam_poczta.onet.pl |
| | \ | | |o \| \| |/o |/ _\| \ |
| |_|_|_| \_| |__/|_| |_|\__|\__||_| Tomasz Piasecki |

========
Path: news-archive.icm.edu.pl!mat.uni.torun.pl!news.man.torun.pl!news2.icm.edu.pl!not-for-mai