SPICE-modele MOSFET (LEVEL=1,2,3)-poszukuję osób interesujących się problemem



Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Damian Bisewski" <bisewski_at_nospam_am.gdynia.pl>
Subject: SPICE-modele MOSFET (LEVEL=1,2,3)-poszukuję osób interesujących się problemem
Date: Wed, 7 Jul 2004 11:48:47 +0200


Drodzy grupowicze

Czy ktoś z Was podejmował kiedykolwiek próbę analizy zależności opisujących
modele MOSFET wbudowane w SPICE (model Shichmana-Hodgesa [LEVEL=1], model
Meyer'a [LEVEL=2], model Dang'a [LEVEL=3])

Proszę o kontakt z zainteresowanymi.

Znalazłem wiele nieścisłości-błędów literaturowych i chciałbym to z kimś
omówić....

Damian Bisewski




========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: J.F. <jfox_nospam_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: SPICE-modele MOSFET (LEVEL=1,2,3)-poszukuję osób interesujących się problemem
Date: Wed, 07 Jul 2004 15:13:14 +0200


On Wed, 7 Jul 2004 11:48:47 +0200, Damian Bisewski wrote:
Czy ktoś z Was podejmował kiedykolwiek próbę analizy zależności opisujących
modele MOSFET wbudowane w SPICE (model Shichmana-Hodgesa [LEVEL=1], model
Meyer'a [LEVEL=2], model Dang'a [LEVEL=3])

Proszę o kontakt z zainteresowanymi.

Alez prosimy publicznie.

J.



========
Path: news-archive.icm.edu.pl!mat.uni.torun.pl!news.man.torun.pl!newsfeed.pionier.net.pl!news.task.gda.pl!not-for-mai

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Damian Bisewski" <bisewski_at_nospam_am.gdynia.pl>
Subject: Re: SPICE-modele MOSFET (LEVEL=1,2,3)-poszukuję osób interesujących się problemem
Date: Wed, 7 Jul 2004 16:02:07 +0200



Użytkownik "J.F." <jfox_nospam_at_nospam_poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:gftne0lbsodi9ejolplmogmqllvg84vjqn_at_nospam_4ax.com...
On Wed, 7 Jul 2004 11:48:47 +0200, Damian Bisewski wrote:
Czy ktoś z Was podejmował kiedykolwiek próbę analizy zależności
opisujących
modele MOSFET wbudowane w SPICE (model Shichmana-Hodgesa [LEVEL=1], model
Meyer'a [LEVEL=2], model Dang'a [LEVEL=3])

Proszę o kontakt z zainteresowanymi.

Alez prosimy publicznie.

J.



Nie ma sprawy....

Problem dotyczy między innymi opisu napięcia progowego w wymienionych
modelach.
Zauważcie, że w deklaracji tranzystora możemy podać, albo parametr napięcia
progowego VTO, albo SPICE obliczy tę wartość z parametrów technologicznych,
i tak:

Vto(t)=VTO+GAMMA*(pierwiastek(PHI-Vbs)-pierwiastek(PHI)) (1)

VTO=-TPG*Eg(T)/2+k*T/q*ln(NSUB/Ni(T))-q*NSS/Cox (2)

Jeżeli mamy do czynienia z tranzysterem MOS mocy, wtedy podłoże zwierane
jest ze źródłem, czyli Vbs=0

Zatem wzór (1) upraszcza się do postaci:

Vto(t)=VTO (3)

Tranzystor MOS mocy np. IRF840 lub IRF150 mają wartość napięcia progowego od
około 2 - 4V.
Podstawcie proszę do wzoru (2) takie wartości parametrów, żeby uzyskać
Vto(300K) na takim poziomie.
Z moich obliczeń wynika, że wartość obliczona jest równa około -0,25V
(koncentracja NSUB=4*1e21).
Według mnie, zależności podawane np. w Manual'u do SPICE'a są czasem
idiotyczne...
Chociaż istotnie wraz ze wzrostem temperatury wartość napięcia progowego
maleje, jak w rzeczywistym tranzystorze......
Czy ktoś już spotkał się z tym problemem????
Czy ktoś zna prawidłowy opis tych zależności ?

Jak macie jakieś pytania - walcie śmiało - w miarę możliwości postaram się
wytłumaczyć...

Damian Bisewski












========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!not-for-mai