mocniejszy MOSFET czy transil?
Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl
From: "Arek" <abk_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Fri, 15 Oct 2004 21:29:15 +0200
Proszono mnie o radę przy nietypowym (ale chyba wzorowanym na
zapłonie do benzyniaków) zastosowaniu cewki zapłonowej a ja nie mam
doświadczenie z indukcją i wysokimi napięciami.
MOSFET zamyka do masy pierwotny obwód cewki zapłonowej, zasilanie
12..14V. Przy rozłączaniu pojawia się napięcie samoindukcji, które
może załatwić tranzystor (i przy wyższym napięciu zasilanaia podobno
załatwia). Wg mnie można zastosować:
1. MOSFET na wyższe napięcie Uds 600->1000V, ale tak samo szybki
Tranzystory mają wbudowane diody, ale katodą do drenu, nie wiem,
czy w tym wypadku pomagają.
2. Między dren a żródło włączyć el. zabezpieczający (transil,
iskiernik, warystor, zenerka) czy coś takiego na U<600V (bo chyba
nie włącza się równolegle do cewki?)
3. Zmienić cewkę na taką o mniejszej samoindukcji uzwojenia pierwotnego
ale z zachowaniem możliwości generacji podobnego napięcia na wtórnym
(zdaje się że zależy to od energii zmagazynowanej w polu magnetycznym
rdzenia...). Aczkolwiek nie udało się podobno znależć lepszej. Ta ma
podobno (uzw. pierwotne) 3.8Ohm 10mH
Stąd pytania:
1. Zna ktoś MOSFET na Uds>600V prąd 15..20A i w miarę szybki. Obecnie
używany STP20NM60 (STMicroelectronic) Uds=600V I=20A Toff 6..21ns
2. Czy taki el. zabezpieczający ma sens, czy jest dostatecznie szybki
i czy nie wpłynie szybkość wyłączania tranzystora i na generację
wysokiego napięcia na wtórnym?
3. Co do cewki to... niech sobie sami poszukają lub nawiną...
4. Czy w praktyce da się zastąpić MOSFETA przez bipolarny ew. tyrystor
bez pogarszania parametrów układu?
PS. Czy "kickback" to określenie na takie szkodliwe napięcie
samoindukcji?
--
Arek
========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Fri, 15 Oct 2004 21:48:19 +020
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Hello Arek,
Friday, October 15, 2004, 9:29:15 PM, you wrote:
Proszono mnie o radę przy nietypowym (ale chyba wzorowanym na
zapłonie do benzyniaków) zastosowaniu cewki zapłonowej a ja nie mam
doświadczenie z indukcją i wysokimi napięciami.
MOSFET zamyka do masy pierwotny obwód cewki zapłonowej, zasilanie
12..14V. Przy rozłączaniu pojawia się napięcie samoindukcji, które
może załatwić tranzystor (i przy wyższym napięciu zasilanaia podobno
załatwia). Wg mnie można zastosować:
1. MOSFET na wyższe napięcie Uds 600->1000V, ale tak samo szybki
Tranzystory mają wbudowane diody, ale katodą do drenu, nie wiem,
czy w tym wypadku pomagają.
Trochę pomagają.
2. Między dren a żródło włączyć el. zabezpieczający (transil,
iskiernik, warystor, zenerka) czy coś takiego na U<600V (bo chyba
nie włącza się równolegle do cewki?)
Bez znaczenia - w końcowym efekcie tak, jakbyś włączył równolegle.
Dobry pomysł.
3. Zmienić cewkę na taką o mniejszej samoindukcji uzwojenia pierwotnego
ale z zachowaniem możliwości generacji podobnego napięcia na wtórnym
To se ne da. Jedno z drugim jest powiązane wprost i własnie na tym to
polega.
(zdaje się że zależy to od energii zmagazynowanej w polu magnetycznym
rdzenia...). Aczkolwiek nie udało się podobno znależć lepszej. Ta ma
podobno (uzw. pierwotne) 3.8Ohm 10mH
Stąd pytania:
1. Zna ktoś MOSFET na Uds>600V prąd 15..20A i w miarę szybki. Obecnie
używany STP20NM60 (STMicroelectronic) Uds=600V I=20A Toff 6..21ns
I co - nie daje rady? Jestem z lekka zaskoczony.
2. Czy taki el. zabezpieczający ma sens, czy jest dostatecznie szybki
i czy nie wpłynie szybkość wyłączania tranzystora i na generację
wysokiego napięcia na wtórnym?
Jest aż za szybki - nikt nie oczekuje takiego krótkiego czasu
narastania.
3. Co do cewki to... niech sobie sami poszukają lub nawiną...
4. Czy w praktyce da się zastąpić MOSFETA przez bipolarny ew. tyrystor
bez pogarszania parametrów układu?
Układy tyrystorowe działają na trochę innej zasadzie. Układy z
bipolarnym na takiej samej jak z MOSFETem.
PS. Czy "kickback" to określenie na takie szkodliwe napięcie
samoindukcji?
Ale ono nie jest szkodliwe - jest nieuniknione.
--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai
From: "Arek" <abk_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Sat, 16 Oct 2004 12:29:25 +0200
RoMan Mandziejewicz napisał(a) w wiadomości:
...
Tranzystory mają wbudowane diody, ale katodą do drenu, nie wiem,
czy w tym wypadku pomagają.
Trochę pomagają.
Zapytałem, chociaż wydaje mi się, że napięcie samoindukcji (Us) po
przerwaniu obwodu ma odwrotną polaryzację. Jeżeli jest tak:
"+" zasilania -- cewka -- MOSFET -- GND, to Us na cewce będzie
miało "-" na "+" zasilania a "+" na drenie, więc Uds=zasilanie+Us.
Dioda wbudowana zabezpiecza przed odwrotną polaryzacją...
Przy okazji: włączenie diody szeregowo między cewkę (anoda) a dren
(katoda) też chyba nic nie daje?
Obecnie
używany STP20NM60 (STMicroelectronic) Uds=600V I=20A Toff 6..21ns
I co - nie daje rady? Jestem z lekka zaskoczony.
Nie bardzo wiem jakie napięcie może się zaindukować. Wynalazcom
chodzi pewnie o wyciśnięcie nieco więcej z cewki niż ustawa
przewiduje.
2. Czy taki el. zabezpieczający ma sens, czy jest dostatecznie
szybki
i czy nie wpłynie szybkość wyłączania tranzystora i na generację
wysokiego napięcia na wtórnym?
Jest aż za szybki - nikt nie oczekuje takiego krótkiego czasu
narastania.
Chodziło mi o zabezpieczenie równoległe do MOSFETa. Za szybki? To
źle?
--
Arek
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai
From: "william" <nie_at_nospam_ma.mnie.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Fri, 15 Oct 2004 22:33:21 +0200
W układach zapłonowych często daje się jeszcze kondensator równolegle do
tranzystora oraz diody zenera wysokonapieciowe pomiedzy dren i bramkę.
Wówczas tranzystor pracuje również jako zenerka duzej mocy.
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai
From: "Arek" <abk_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Sat, 16 Oct 2004 12:29:55 +0200
william napisał(a) w wiadomości: ...
W układach zapłonowych często daje się jeszcze kondensator równolegle >do
tranzystora
Czy ma on zadanie "złagodzenie" kopnięcia samoindukcji?
oraz diody zenera wysokonapieciowe pomiedzy dren i bramkę.
Wówczas tranzystor pracuje również jako zenerka duzej mocy.
Między dren a bramkę? A nie dren a żródło? Np. 2 wyskonapięciowe
zenerki przeciwsobnie (co by nie "ominąć" MOSFETA przy normalnej
pracy)
--
Arek
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai
From: "william" <nie_at_nospam_ma.mnie.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Sat, 16 Oct 2004 14:26:18 +0200
Między dren a bramkę? A nie dren a żródło? Np. 2 wyskonapięciowe
zenerki przeciwsobnie (co by nie "ominąć" MOSFETA przy normalnej
pracy)
--
> Arek
Właśnie nie :). Gdy dasz pomiędzy dren i źródło to masz jakby 2
niezależne elementy - tranzystor - klucz i diodę - ogranicznik. Oba jako
elementy dużej mocy. Jeśli prąd cewki to np. 5A to i zenerka musi wytrzymać
te 5A. Jeśli zaś dasz zenerkę pomiedzy dren a bramkę, to wystarczą
miniaturowe diody - po wystapieniu przepięcia "wpuszczają" one napięcie na
bramkę, otwierając tranzystor i redukując napiecie do wartości nap.zenera
diod + napiecie otwarcia bramki. Jest to rozwiązanie po prostu sensowniejsze
"ekonomicznie" - masz tylko jeden element mocy - tranzystor a diodki małe,
bez radiatorów. Oczywiście stopień sterujacy tranzystora powinien byc
oddzielony od bramki (i diod) rezystorem.
========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Sat, 16 Oct 2004 14:30:25 +020
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Hello william,
Saturday, October 16, 2004, 2:26:18 PM, you wrote:
Między dren a bramkę? A nie dren a żródło? Np. 2 wyskonapięciowe
zenerki przeciwsobnie (co by nie "ominąć" MOSFETA przy normalnej
pracy)
Właśnie nie :). Gdy dasz pomiędzy dren i źródło to masz jakby 2
niezależne elementy - tranzystor - klucz i diodę - ogranicznik. Oba jako
elementy dużej mocy. Jeśli prąd cewki to np. 5A to i zenerka musi wytrzymać
te 5A. Jeśli zaś dasz zenerkę pomiedzy dren a bramkę, to wystarczą
miniaturowe diody - po wystapieniu przepięcia "wpuszczają" one napięcie na
bramkę, otwierając tranzystor i redukując napiecie do wartości nap.zenera
diod + napiecie otwarcia bramki. Jest to rozwiązanie po prostu sensowniejsze
"ekonomicznie" - masz tylko jeden element mocy - tranzystor a diodki małe,
bez radiatorów. Oczywiście stopień sterujacy tranzystora powinien byc
oddzielony od bramki (i diod) rezystorem.
Jak chcesz pogodzić zapewnienie dużej rezystancji wyjściowej stopnia
sterującego z wymaganiem dużego di/dt?
--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai
From: "william" <nie_at_nospam_ma.mnie.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Sat, 16 Oct 2004 21:06:00 +0200
bez radiatorów. Oczywiście stopień sterujacy tranzystora powinien byc
oddzielony od bramki (i diod) rezystorem.
Jak chcesz pogodzić zapewnienie dużej rezystancji wyjściowej stopnia
sterującego z wymaganiem dużego di/dt?
--
> Best regards,
> RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl
To jest jakis kompromis. Ale wyobraźmy sobie, że MOSFET sterujemy +12V na
bramce i jest tam pojemność 1nF. Załóżmy tez, że stopień sterujacy będzie
odseparowany rezystorkiem 220 om. Włączenie /wyłączenie tranzystora nastąpi
w czasie poniżej 1us co powinno w tym zastosowaniu wystarczyć. Z kolei
sterowanie musi mieć obciażalnośc prądową do 60mA co da się zrealizować
zwykłym tranzystorkiem małej mocy. Ewentualnie można by tez spróbować zrobić
sumowanie "cyfrowe" sygnału sterujacego tranzystor i tłumienia przepięcia z
diod. Oczywiście, że taka praca tanzystora jako zenerki duzej mocy ma swoje
ograniczenie w postaci szybkości działania. Ale w tym zastosowaniu jest to
akceptowalne i dlatego stosowane. Bo kondensatorek kilka nF równoległy z
cewką i tak ogranicza szybkość. Układ zapłonowy nie moze przecież siać jak
generator van der Grafa :)
========
Newsgroups: pl.misc.elektronika
Date: Sat, 16 Oct 2004 21:45:52 +020
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Hello william,
Saturday, October 16, 2004, 9:06:00 PM, you wrote:
bez radiatorów. Oczywiście stopień sterujacy tranzystora powinien byc
oddzielony od bramki (i diod) rezystorem.
Jak chcesz pogodzić zapewnienie dużej rezystancji wyjściowej stopnia
sterującego z wymaganiem dużego di/dt?
To jest jakis kompromis. Ale wyobraźmy sobie, że MOSFET sterujemy +12V na
bramce i jest tam pojemność 1nF.
1 nF dla MOSFETa o takiej mocy i napięciu szczytowym? Zapomnij i
pomnóż co najmniej przez 10. Ale, po przyjrzeniu się parametrom
MOSFETów wysokonapięciowych cienko widzę możliwość zastosowania ich do
tego celu - za duża Rdson... MOSFETy o Rdson poniżej 1 oma to max
600V. Np. SSP10N60B - Rdson = 0.8oma _at_nospam_ Ugs 10V, Idmax = 9A, Udssmax =
600V, Qc = 54nC _at_nospam_ Ugs = 5V.
Załóżmy tez, że stopień sterujacy będzie odseparowany rezystorkiem
220 om. Włączenie /wyłączenie tranzystora nastąpi w czasie poniżej
1us co powinno w tym zastosowaniu wystarczyć.
Jeśli spowolnisz MOSFETa to i przepięcia zmaleją.
Z kolei sterowanie musi mieć obciażalnośc prądową do 60mA
Zakładając tak niską pojemność bramki...
co da się zrealizować zwykłym tranzystorkiem małej mocy. Ewentualnie
można by tez spróbować zrobić sumowanie "cyfrowe" sygnału
sterujacego tranzystor i tłumienia przepięcia z diod.
Przekombinowane. Szereg Transili zapewni wystarczające tłumienie bez
obawy przegrzania. Cewka 10 mH o rezystancji 3.9 om będzie miała prąd
szczytowy max. 4A (zaokrąglone mocno w górę dla ułatwienia liczenia).
Energia zgromadzona w cewce to I^2 L2 czyli zaledwie 80 mJ. Sytuacja
w której grozi przebicie tranzystora to przerwa w obwodzie wysokiego
napięcia. Zakładamy najgorszy możliwy przypadek - awaria trafia się
przy 6000 rpm - co dla silnika 4-suwowego, 4-cylindrowego z pojedynczą
cewką oznacza 100 Hz. Czyli przez krótki czas masz do wytracenia moc
zaledwie 8W. Dlaczego przez krótki? Silnik dość gwałtownie zwolni z
braku iskry.
Oczywiście, że taka praca tanzystora jako zenerki duzej mocy ma
swoje ograniczenie w postaci szybkości działania. Ale w tym
zastosowaniu jest to akceptowalne i dlatego stosowane. Bo
kondensatorek kilka nF równoległy z cewką i tak ogranicza szybkość.
Układ zapłonowy nie moze przecież siać jak generator van der Grafa
)
Ale nie ma potrzeby podgrzewania tranzystora mocy poprzez spowalnianie
jego przełączania + ograniczanie napięcia. 'Sianie' można w prosty i
bezpieczny sposób ograniczyć stosując dwójnik RC równolegle do
MOSFETa. Sam MOSFET niech sobie przełącza szybko i bez zbędnych strat.
Diody Transil sa przeznaczone do impulsowego wydzielania na nich
dużych energii - MOSFETowi nie ma sensu utrudniać warunków pracy.
--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai
From: "Arek" <abk_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Sun, 17 Oct 2004 05:49:23 +0200
Hej! Będzie długie, ale znam już szczegóły (schemat a'la SPICE):
Vcc 3 0 +14V
L 3 2 10mH 3.8Ohm, więcej nie wiem, próbowano różnych
D1 2 1 (A K) dioda RHRP8120 (Fairhild) Ubr=1200V If=8A, szybka
Q1 1 4 0 (D G S) STP20NM60 (ST) Uds=600V Ids=12A Rds<0.3Ohm
Qg=54nC Cg=1.5nF Toff rzędu 20ns (o ile reszta pozwoli...)
V1 6 0 +12V zasilanie czesci sterujacej
R1 6 4 220 Ohm
Q2 4 5 0 (D G S) SUP40N06-25 (Vishay) kanał n, Cg=1.8nF Toff=30..50ns
Uds=60V
Bramka Q2 sterowana z wzm. operacyjnego (prostokąt/impuls).
Możliwość podłączenia do węzła 4. drugiej identycznej "końcówki mocy"
Dzięki za wcześniejsze uwagi. Ale to nie ma być układ zapłonowy.
Chodzi o to, aby wycisnąć (o ile cewkę szlag nie trafi) "trochę"
więcej niż w ukł. zapłonowym. Stąd np. próby zwiększenia Vcc>14V.
Wydaje mi się, że nap. samoindukcji jest skierowane przeciwnie
do "przyczyny" więc jego "+" na wężle 2. a "-" na 3. Zsumuje się z
Vcc w kierunku przewodzenia Q1 i D1. Czy D1 coś tu pomaga (poza
"zmniejszeniem" Vcc), czy to tylko "gest rozpaczy"?
Gdy zwiększa się Vcc to podobno jest przebicie na Q1. Trzeba by
go zabezpieczyć... A ponieważ chodzi o wyższe napięcie na wtórnym,
więc chyba odpadają (?):
- kondensator "łagodzący" równolegle do cewki
- kondensator równolegle do Q1 (D S) No chyba, że b. mały?
- spowalnianie wyłączania Q1 przez spowolnienie sterowania
- pomysł z wygaszaniem z zenerką między D i G - Udg też 600V, więc
jeżeli przebija DS to może przebić do bramki? I chyba za wolne...
RoMan Mandziejewicz napisał(a) w wiadomości:
...
Przekombinowane. Szereg Transili zapewni wystarczające tłumienie bez
obawy przegrzania.
Szereg transili między dren a żródło? Jeżeli tak to pytanie czy
analogicznie do łączenia szeregowo diod prostowniczych na niższe
napięcie przebicia, nie warto rónolegle do transili dać po oporniku
ze 100kOhm w celu równomiernego rozłożenia napięcia? Chociaż tu
właśnie zależy na "przebiciu" diod więc chyba zbędne?
Energia zgromadzona w cewce to I^2 L2 czyli zaledwie 80 mJ. Sytuacja
w której grozi przebicie tranzystora to przerwa w obwodzie wysokiego
napięcia.
Przebicie wtórne->pierwotne jeżeli wtórne nie ma "obciążenia" ?
Czy też o to, że cała zmagazynowana energia ujawni się w postaci
nap. samoindukcji? (Podejrzewam, że odbiornik może być właśnie z
gatunku: b. wysokie napięcie-b. mały prąd).
Zakładamy najgorszy możliwy przypadek...
... Czyli przez krótki czas masz do wytracenia moc
zaledwie 8W. Dlaczego przez krótki? Silnik dość gwałtownie zwolni...
Tu nie zwolni. Próbują nawet wycisnąć z cewki większą częstotliwość
Oczywiście, że taka praca tanzystora jako zenerki duzej mocy ma
swoje ograniczenie w postaci szybkości działania.
No właśnie, chyba za wolne.
Układ zapłonowy nie moze przecież siać jak generator van der Grafa
Ten na razie może.
...'Sianie' można w prosty i
bezpieczny sposób ograniczyć stosując dwójnik RC równolegle do
MOSFETa.
R z C szeregowo? Jakieś przykładowe wartości? Bo jeżeli R małe to
odpada - ujawni się wpływ C - spowolnienie...
Diody Transil sa przeznaczone do impulsowego wydzielania na nich
dużych energii...
A teraz nie bijcie!
Jak się ma w praktyce "transil" do zenerki mocy?
Czy takie "gaszenie" samoindukcji transilami nie wpływa na
zmniejszenie napięcia na wtórnym?
Czy są cewki zapłonowe które mają 4 wyprowadzenia? 2 pierwotne i 2
wtórne? Bo chyba jeden z wtórnych to obudowa i "-" pierwotnego.
Jeszcze raz dzięki.
--
Arek
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news.rmf.pl!agh.edu.pl!news.agh.edu.pl!news.onet.pl!not-for-mai
From: J.F. <jfox_nospam_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Sun, 17 Oct 2004 21:46:09 +0200
On Sun, 17 Oct 2004 05:49:23 +0200, Arek wrote:
Dzięki za wcześniejsze uwagi. Ale to nie ma być układ zapłonowy.
Chodzi o to, aby wycisnąć (o ile cewkę szlag nie trafi) "trochę"
więcej niż w ukł. zapłonowym. Stąd np. próby zwiększenia Vcc>14V.
Niepotrzebnie. Cewka ma przekladnie stosunkowo niewielka - wysokie
napiecie sie bierze na samoindukcji. Chyba ze chodzi o wieksza moc.
Co do napiecia - ostroznie. Cewka swoja wytrzymalosc ma - sprobujesz
za duzo, izolacje przebije, bedzie do wyrzucenia.
Wydaje mi się, że nap. samoindukcji jest skierowane przeciwnie
do "przyczyny" więc jego "+" na wężle 2. a "-" na 3. Zsumuje się z
Vcc w kierunku przewodzenia Q1 i D1. Czy D1 coś tu pomaga (poza
"zmniejszeniem" Vcc), czy to tylko "gest rozpaczy"?
Gest niezrozumienia :-) Dobrze ci sie wydaje - ta dioda NIC nie da.
Gdy zwiększa się Vcc to podobno jest przebicie na Q1. Trzeba by
go zabezpieczyć...
Najpierw trzeba zrozumiec co sie dzieje. Wylaczamy prad .. a cewka
chce go podtrzymac. Skacze napiecie na pierwotnym zmierzajace
do otwarcia tranzystora - czyli np z +14 robi sie +200.
Jednoczesnie skacze napiecie na wtornym. Idealna sytuacja ma miejsce
gdy prad podtrzymujacy zaczyna plynac przez wtorne.Wtedy wystarczy
po pierwotnej stronie wytrzymac to wysokie napiecie.
Gorzej jesli po wtornej stronie nie ma co podtrzymac pradu - wtedy
prad musi poplynac po pierwotnej, a energia cewki laduje gdzies
po pierwotnej stronie. W szczegolnosci moze byc to tranzystor,
ktory przy odpowiednio wysokim napieciu przepusci potrzebny prad.
Podsumowujac:
- chcemy szybko wylaczyc prad,
- musimy wytrzymac wysokie napiecie,
- trzeba sie zabezpieczyc na wypadek braku obciazenia,
Wiele tranzystorow to po prostu wytrzyma - patrz szczegolowe dane
techniczne nt przebicia.
więc chyba odpadają (?):
- kondensator "łagodzący" równolegle do cewki
Owszem. W zaplonie stykowym on IMHO mial przejac prad na czas
rozsuwania stykow. Przejmowal prad, napiecie roslo powoli,
dzieki czemu luk sie nie pojawial poki styki dzielila mikroskopijna
odleglosc.
Przy sterowaniu tranzystorem imho nie ma sensu. Moze byc jednak
stosowany jako zabezpieczenie. Ma jednak te wade ze zre energie.
Nadal jest uzywany, ale w postaci gasika - niewielki kondensator,
w szereg z rezystorem, do przejecia energii zanim inne zabezpieczenia
nie zadzialaja.
Nawiasem mowiac - pojemnosc wlasna cewki ogranicza od gory
maksymalne napiecie ..
- kondensator równolegle do Q1 (D S) No chyba, że b. mały?
zasadniczo to samo co wlaczony do cewki.
- spowalnianie wyłączania Q1 przez spowolnienie sterowania
Ograniczy mozliwosc zniszczenia tranzystora przez ograniczenie
generowanego napiecia .. chyba nie o to chodzilo :-)
- pomysł z wygaszaniem z zenerką między D i G - Udg też 600V, więc
jeżeli przebija DS to może przebić do bramki? I chyba za wolne...
Pomysl generalnie dosc dobry - spowolnienie wylaczania z "automatyka"
utrzymania wysokiego napiecia. Klopotem jest brak zenerek na 600V -
trzeba by skladac ze 20 szt. Neonowki raczej odradzam - po zapaleniu
pojdzie duzy ladunek na bramke, moze tego nie wytrzymac.
Bipolarne sa jednak bardziej odporne.
Cecha tego pomyslu jest ze energia odklada sie w tranzystorze -
co jest i wada [podgrzac moze ponad miare] i zaleta [tranzystor
i tak ma duza moc, znalezc zenerke czy transila na taka moc
moze byc trudniej]
Próbują nawet wycisnąć z cewki większą częstotliwość
No owszem - przyda sie wieksze napiecie zasilania, ale moze warto
rozejrzec sie za innym rdzeniem ? Cewka jest jednak z blach,
projektowana na 100Hz. Byle TV ma trafoi na 15kHz.
J.
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!news2.icm.edu.pl!not-for-mai
From: "entroper" <entroper_at_nospam_CWD.spamerom.poczta.onet.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Mon, 18 Oct 2004 17:05:34 +0200
"J.F." <jfox_nospam_at_nospam_poczta.onet.pl> wrote in message
news:5ne5n0d99m9vrohrluhlr79qr75ait1fr5_at_nospam_4ax.com...
(...)
Najpierw trzeba zrozumiec co sie dzieje. Wylaczamy prad .. a cewka
chce go podtrzymac. Skacze napiecie na pierwotnym zmierzajace
do otwarcia tranzystora - czyli np z +14 robi sie +200.
Jednoczesnie skacze napiecie na wtornym. Idealna sytuacja ma
miejsce
gdy prad podtrzymujacy zaczyna plynac przez wtorne.Wtedy wystarczy
po pierwotnej stronie wytrzymac to wysokie napiecie.
Gorzej jesli po wtornej stronie nie ma co podtrzymac pradu - wtedy
prad musi poplynac po pierwotnej, a energia cewki laduje gdzies
po pierwotnej stronie.
Jedna uwaga: w "idealnej sytuacji" (ktorekolwiek uzwojenie
obciazone tak, zeby zagwarantowac opadanie strumienia magnetycznego
z takim samym nachyleniem) nie byloby zadnego przepiecia, a jedynie
"odbicie" napiecia zasilajacego (specjalisci od flybacka wyjasnia
) ). Sek w tym, ze cewka zaplonowa w normalnym zastosowaniu zaczyna
byc obciazona dopiero gdy wystapi iskra - a do tego momentu pracuje
rezonansowo na pojemnosc wlasna - i to tylko ogranicza napiecie na
kluczu, ale ciezko okreslic, do jakiej wartosci. "Dogaszanie" tego
napiecia powoduje marnowanie energii.
pozdrawiam
entrop3r
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!news.onet.pl!not-for-mai
From: "EM" <edim123_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: mocniejszy MOSFET czy transil?
Date: Mon, 25 Oct 2004 09:34:07 +0200
Stąd pytania:
1. Zna ktoś MOSFET na Uds>600V prąd 15..20A i w miarę szybki. Obecnie
używany STP20NM60 (STMicroelectronic) Uds=600V I=20A Toff 6..21ns
2. Czy taki el. zabezpieczający ma sens, czy jest dostatecznie szybki
i czy nie wpłynie szybkość wyłączania tranzystora i na generację
wysokiego napięcia na wtórnym?
3. Co do cewki to... niech sobie sami poszukają lub nawiną...
4. Czy w praktyce da się zastąpić MOSFETA przez bipolarny ew. tyrystor
bez pogarszania parametrów układu?
Witam
Proponuję rozejrzeć się za dedykowanymi elementami.
Ogólnie należy szukać Ignition Coil Driver.
W STM znajdziemy nieco darlingtonów do tego celu, np BU941
Nowocześniejszym rozwiązniem są IGBT, np:
ISL9V2040D3S
EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
Fairchild.
Zawierają one wbudowane zabezpieczenia. Raczej nie ma co wymyślać innego
rozwiązania...
Pozdr
EM
========
Path: news-archive.icm.edu.pl!newsfeed.gazeta.pl!opal.futuro.pl!newsfeed.tpinternet.pl!atlantis.news.tpi.pl!news.tpi.pl!not-for-mai