Czy źródło prądowe może uszkodzić półprzewodnik
Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl
From: "Leszek" <leszek_wieczorek_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Czy źródło prądowe może uszkodzić półprzewodnik
Date: Mon, 13 Dec 2004 00:25:17 +0100
Mam takie pytanie:
Czy źródło prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dokładnie to napięcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
może uszkodzić element półprzewodnikowy, np.
bramkę tranzystora MOS. Jeżeli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to będzie chyba nieniszczące przebicie.
Tak mi się wydaje, ale może wypowie się ktoś bardziej
doświadczony w tej kwestii
Leszek
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_WIADOMO_PO_CO_TO.message.pl>
Subject: =?iso-8859-2?Q?Re:_Czy_=BCr=F3d=B3o_pr=B1dowe_mo=BFe_uszkodzi=E6_?=
Date: Mon, 13 Dec 2004 00:40:56 +0100
Użytkownik "Leszek" <leszek_wieczorek_at_nospam_poczta.onet.pl> napisał w
wiadomości news:cpik83$kub$1_at_nospam_nemesis.news.tpi.pl
Czy źródło prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dokładnie to napięcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA może uszkodzić element półprzewodnikowy, np.
bramkę tranzystora MOS. Jeżeli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to będzie chyba nieniszczące przebicie.
Jeżeli to będzie przebicie lawinowe w złączu p-n to ma szanse być
nieniszczące. O ile nie przekroczy się rozsądnej mocy strat. W przypadku
bramki MOS-a spodziewałbym się raczej trwałego uszkodzenia. Ale odpowiadam
intuicyjnie, bo mechanizmy przebicia w tlenku bramkowym ćwiczyłem ...naście
lat temu i mało co z tego pamiętam.
--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 - zwykle jako 'niewidoczny'
(Uwaga Gadu-Gadulcowicze: Nie odpowiadam na anonimy.)
From: "Marek Lewandowski" <mareklew_at_nospam_gazeta.SKASUJ-TO.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?Q?Re:_Czy_=BCr=F3d=B3o_pr=B1dowe_mo?= =?ISO-8859-2?Q?=BFe_uszkodzi=E6_p=F3=B3przewodnik?=
Date: Mon, 13 Dec 2004 07:22:36 +0000 (UTC)
Leszek <leszek_wieczorek_at_nospam_poczta.onet.pl> napisał(a):
Mam takie pytanie:
Czy źródło prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dokładnie to napięcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
może uszkodzić element półprzewodnikowy, np.
bramkę tranzystora MOS. Jeżeli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to będzie chyba nieniszczące przebicie.
Przebicie złącz P-N będzie raczej nieniszczące, chyba, że mowa o np. złączach
p- JFETów wejściowych w opampie (raczej maciupcie dopuszczalne moce strat).
Przebicie bramki MOS będzie IMO trwale niszczące.
--
Marek (at work)
--
Wysłano z serwisu Usenet w portalu Gazeta.pl -> http://www.gazeta.pl/usenet/
Date: Mon, 13 Dec 2004 20:17:09 +0100
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IEN6eSC8cvNks28gcHKxZG93ZSBtb79lIHVzemtvZHpp5iBw87Nw?=
Hello Łukasz,
Monday, December 13, 2004, 7:24:45 PM, you wrote:
Mam takie pytanie:
Czy 1ród3o prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dok3adnie to napiecie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
mo?e uszkodzia element pó3przewodnikowy, np.
bramke tranzystora MOS. Je?eli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to bedzie chyba nieniszczące przebicie.
Tak mi sie wydaje, ale mo?e wypowie sie ktoś bardziej
doświadczony w tej kwestii
1. Prąd będzie płynął tak długo aż naładuje się pojemność MOS-a.
2. Po przekroczeniu napięcia przebicia bramka tranzystora MOS zostanie
trwale uszkodzona.
Wniosek: nawet nie zdążysz powiedzieć "o ..." .
O ile bramka nie jest zabezpieczona wbudowanymi diodami - co nie jest
rzadkim zjawiskiem we współczesnych MOSFETach.
--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl
From: =?ISO-8859-2?Q?=A3ukasz_Sok=F3=B3?= <el_es_at_nospam_p0cz74.0n37.pl>
Subject: Re: Czy =?ISO-8859-2?Q?=BCr=F3d=B3o_pr=B1dowe_mo=BFe_uszko?=
Date: Mon, 13 Dec 2004 22:34:50 +0100
U=BFytkownik RoMan Mandziejewicz napisa=B3:
Hello =A3ukasz,
=20
Monday, December 13, 2004, 7:24:45 PM, you wrote:
=20
=20
Mam takie pytanie:
Czy 1r=F3d3o pr=B1dowe o wydajno=B6ci np. 10mA
A tak dok3adnie to napiecie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
mo?e uszkodzia element p=F33przewodnikowy, np.
bramke tranzystora MOS. Je?eli nast=B1pi przebicie
(przy 10mA) to bedzie chyba nieniszcz=B1ce przebicie.
Tak mi sie wydaje, ale mo?e wypowie sie kto=B6 bardziej
do=B6wiadczony w tej kwestii
1. Pr=B1d b=EAdzie p=B3yn=B1=B3 tak d=B3ugo a=BF na=B3aduje si=EA pojem=
no=B6=E6 MOS-a.
2. Po przekroczeniu napi=EAcia przebicia bramka tranzystora MOS zostani=
e=20
trwale uszkodzona.
Wniosek: nawet nie zd=B1=BFysz powiedzie=E6 "o ..." .
=20
=20
O ile bramka nie jest zabezpieczona wbudowanymi diodami - co nie jest
rzadkim zjawiskiem we wsp=F3=B3czesnych MOSFETach.
=20
Ale wr=F3=BFka grupowa ma wolne i nie wie jaki to tranzystor...
)
eL eS
--=20
| W T F |
| O M F G |
| I HATE 1337 |
|speak so damn|
|much it hurts|
From: =?UTF-8?B?xYF1a2FzeiBTb2vDs8WC?= <el_es_at_nospam_p0cz74.0n37.pl>
Subject: Re: Czy =?UTF-8?B?xbpyw7NkxYJvIHByxIVkb3dlIG1vxbxlIHVzemtvZHppxIc=?=
Date: Mon, 13 Dec 2004 19:24:45 +0100
U=C5=BCytkownik Leszek napisa=C5=82:
Mam takie pytanie:
Czy =C2=BCr=C3=B3d=C2=B3o pr=C2=B1dowe o wydajno=C2=B6ci np. 10mA
A tak dok=C2=B3adnie to napi=C3=AAcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
mo=C2=BFe uszkodzi=C3=A6 element p=C3=B3=C2=B3przewodnikowy, np.
bramk=C3=AA tranzystora MOS. Je=C2=BFeli nast=C2=B1pi przebicie
(przy 10mA) to b=C3=AAdzie chyba nieniszcz=C2=B1ce przebicie.
Tak mi si=C3=AA wydaje, ale mo=C2=BFe wypowie si=C3=AA kto=C2=B6 bardzi=
ej
do=C2=B6wiadczony w tej kwestii
=20
Leszek
=20
=20
1. Pr=C4=85d b=C4=99dzie p=C5=82yn=C4=85=C5=82 tak d=C5=82ugo a=C5=BC na=C5=
=82aduje si=C4=99 pojemno=C5=9B=C4=87 MOS-a.
2. Po przekroczeniu napi=C4=99cia przebicia bramka tranzystora MOS zostan=
ie=20
trwale uszkodzona.
Wniosek: nawet nie zd=C4=85=C5=BCysz powiedzie=C4=87 "o ..." .
eL eS
--=20
| W T F |
| O M F G |
| I HATE 1337 |
|speak so damn|
|much it hurts|