Pamieci EEPROM



Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "mp" <pim11_at_nospam_op.pl>
Subject: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 13:30:31 +0100


Witam!
Czy ktos wie ile razy mozna ODCZYTAC pojedynczš komórkę EEPROM'u. Zazwyczaj
w datasheet'ach podaje sie min. wartość write/erase. Nie widzialem nigdzie
jaka jest minimalna liczba odczytów. A może to nieistotne, bo nie ma
ograniczeń co do odczytu. Dzieki za wszelkie sugestie. Pozdrawiam

--

michal



Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: J.F. <jfox_xnospamx_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 13:55:18 +0100


On Wed, 19 Jan 2005 13:30:31 +0100, mp wrote:
Czy ktos wie ile razy mozna ODCZYTAC pojedynczš komórkę EEPROM'u. Zazwyczaj
w datasheet'ach podaje sie min. warto?ć write/erase. Nie widzialem nigdzie
jaka jest minimalna liczba odczytów. A może to nieistotne, bo nie ma
ograniczeń co do odczytu. Dzieki za wszelkie sugestie. Pozdrawiam

Nie ma.

J.


Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_WIADOMO_PO_CO_TO.message.pl>
Subject: Re: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 13:57:49 +0100


Użytkownik "mp" <pim11_at_nospam_op.pl> napisał w wiadomości
news:csljt9$r4d$1_at_nospam_news.onet.pl

Czy ktos wie ile razy mozna ODCZYTAC pojedynczš komórkę EEPROM'u.
Zazwyczaj w datasheet'ach podaje sie min. wartość write/erase. Nie
widzialem nigdzie jaka jest minimalna liczba odczytów. A może to
nieistotne, bo nie ma ograniczeń co do odczytu.

Zapis komórki (E)EPROMU polega na wstrzykiwaniu ładunku do izolowanej bramki
tranzystora MOS. Każdemu zapisowi towarzyszy powolne powstawanie defektów
w strukturze, które kumulując się ograniczają trwałość kości. Natomiast
odczyt sprowada się do sprawdzenia, czy dany tranzystor jest włączony czy
nie (czy ma zgromadzony ładunek w izolowanej bramce) i jako taki nie jest
niszczący.

--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 - zwykle jako 'niewidoczny'
(Uwaga Gadu-Gadulcowicze: Nie odpowiadam na anonimy.)


Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "mp" <pim11_at_nospam_op.pl>
Subject: Re: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 14:04:42 +0100



Zapis komórki (E)EPROMU polega na wstrzykiwaniu ładunku do izolowanej
bramki
tranzystora MOS. Każdemu zapisowi towarzyszy powolne powstawanie
defektów
w strukturze, które kumulując się ograniczają trwałość kości. Natomiast
odczyt sprowada się do sprawdzenia, czy dany tranzystor jest włączony czy
nie (czy ma zgromadzony ładunek w izolowanej bramce) i jako taki nie jest
niszczący.

Dzieki wielkie za odpowiedzi! Pozdrowienia dla wszystkich, ktorzy byli
laskawi odpowiedziec:)

--
michal