Pamieci EEPROM
Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl
From: "mp" <pim11_at_nospam_op.pl>
Subject: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 13:30:31 +0100
Witam!
Czy ktos wie ile razy mozna ODCZYTAC pojedynczš komórkę EEPROM'u. Zazwyczaj
w datasheet'ach podaje sie min. wartość write/erase. Nie widzialem nigdzie
jaka jest minimalna liczba odczytów. A może to nieistotne, bo nie ma
ograniczeń co do odczytu. Dzieki za wszelkie sugestie. Pozdrawiam
--
michal
From: J.F. <jfox_xnospamx_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 13:55:18 +0100
On Wed, 19 Jan 2005 13:30:31 +0100, mp wrote:
Czy ktos wie ile razy mozna ODCZYTAC pojedynczš komórkę EEPROM'u. Zazwyczaj
w datasheet'ach podaje sie min. warto?ć write/erase. Nie widzialem nigdzie
jaka jest minimalna liczba odczytów. A może to nieistotne, bo nie ma
ograniczeń co do odczytu. Dzieki za wszelkie sugestie. Pozdrawiam
Nie ma.
J.
From: "Marek Dzwonnik" <mdz_at_nospam_WIADOMO_PO_CO_TO.message.pl>
Subject: Re: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 13:57:49 +0100
Użytkownik "mp" <pim11_at_nospam_op.pl> napisał w wiadomości
news:csljt9$r4d$1_at_nospam_news.onet.pl
Czy ktos wie ile razy mozna ODCZYTAC pojedynczš komórkę EEPROM'u.
Zazwyczaj w datasheet'ach podaje sie min. wartość write/erase. Nie
widzialem nigdzie jaka jest minimalna liczba odczytów. A może to
nieistotne, bo nie ma ograniczeń co do odczytu.
Zapis komórki (E)EPROMU polega na wstrzykiwaniu ładunku do izolowanej bramki
tranzystora MOS. Każdemu zapisowi towarzyszy powolne powstawanie defektów
w strukturze, które kumulując się ograniczają trwałość kości. Natomiast
odczyt sprowada się do sprawdzenia, czy dany tranzystor jest włączony czy
nie (czy ma zgromadzony ładunek w izolowanej bramce) i jako taki nie jest
niszczący.
--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 - zwykle jako 'niewidoczny'
(Uwaga Gadu-Gadulcowicze: Nie odpowiadam na anonimy.)
From: "mp" <pim11_at_nospam_op.pl>
Subject: Re: Pamieci EEPROM
Date: Wed, 19 Jan 2005 14:04:42 +0100
Zapis komórki (E)EPROMU polega na wstrzykiwaniu ładunku do izolowanej
bramki
tranzystora MOS. Każdemu zapisowi towarzyszy powolne powstawanie
defektów
w strukturze, które kumulując się ograniczają trwałość kości. Natomiast
odczyt sprowada się do sprawdzenia, czy dany tranzystor jest włączony czy
nie (czy ma zgromadzony ładunek w izolowanej bramce) i jako taki nie jest
niszczący.
Dzieki wielkie za odpowiedzi! Pozdrowienia dla wszystkich, ktorzy byli
laskawi odpowiedziec:)
--
michal