=?ISO-8859-2?Q?Asymetria_w_przetwo?=



Masz problem? Zapytaj na forum elektroda.pl

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: BLE_Maciek <i80c586_at_nospam_cyberspace_NO_SPAM_.org>
Subject: =?ISO-8859-2?Q?Asymetria_w_przetwo?=
Date: Tue, 06 Sep 2005 21:44:59 +0200


Witam, sorry że tak rzadko bywam i wpadam do Was tylko po radę,
zamiast uczestniczyć w życiu grupy :-/

Mam nadzieję że pomożecie: skleciłem sobie przetworniczkę na SG3525:
push-pull z wyprowadzonym środkiem. Przetwornica miło mnie zaskoczyła
bo parametry wyszły całkiem blisko wyników obliczeń. Gdy jednak
obadałem oscem co się dzieje na rezystorze wpiętym w źródła
kluczujących mosfetów, okazało sie że pracuje ona trochę nierówno - w
jednej połówce mam prąd szczytowy 0,92A (obliczony 0,9A :-) ), ale w
drugiej jednak o 50mA mniej :-( Zaznaczam że dołożyłem wszelkich
starań aby nawinąć trafo symetrycznie - nawijałem obie połówki
jednocześnie (tzn. nawijałem uzwojenie tylko raz, dwoma drutami
złożonymi jeden przy drugim i odpowiednio połączyłem końcówki).

Czy taka różnica może doprowadzić w kosekwencji do coraz większego
namagnesowania rdzenia i tym samym wjazdu jedną połówką w nasycenie ?
Co może być jej przyczyną ? Rozrzut parametrów tranzystorów ? Jak ją
zlikwidować ? Kupić dwa nowe MOSFETy i wstawić ? Spróbować
rozmagnesować rdzeń ?
BTW rdzeń nie jest "wysilony" bo obliczeniowa indukcja w szczycie to
44mT, a materiał ma nasycenie 360mT, czyli wykorzystałem mniej niż
połowę używalnego zakresu.

Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
Date: Tue, 6 Sep 2005 23:01:14 +0200
From: RoMan Mandziejewicz <roman_at_nospam_pik-net.pl>
Subject: =?ISO-8859-2?B?UmU6IEFzeW1ldHJpYSB3IHByemV0d29ybmljeSBwdXNoLXB1bGwgLSBu?=


Hello BLE_Maciek,

Tuesday, September 6, 2005, 9:44:59 PM, you wrote:

Witam, sorry że tak rzadko bywam i wpadam do Was tylko po radę,
zamiast uczestniczyć w życiu grupy :-/
Mam nadzieję że pomożecie: skleciłem sobie przetworniczkę na SG3525:
push-pull z wyprowadzonym środkiem. Przetwornica miło mnie zaskoczyła
bo parametry wyszły całkiem blisko wyników obliczeń. Gdy jednak
obadałem oscem co się dzieje na rezystorze wpiętym w źródła
kluczujących mosfetów, okazało sie że pracuje ona trochę nierówno - w
jednej połówce mam prąd szczytowy 0,92A (obliczony 0,9A :-) ), ale w
drugiej jednak o 50mA mniej :-(

Bez znaczenia.

[...]

--
Best regards,
RoMan mailto:roman_at_nospam_pik-net.pl


Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: "entroper" <entroper_at_nospam_CWD.spamerom.poczta.onet.pl>
Subject: Re: Asymetria w przetwornicy push-pull - na ile groźna ?
Date: Wed, 7 Sep 2005 16:50:53 +0200


Użytkownik "BLE_Maciek" <i80c586_at_nospam_cyberspace_NO_SPAM_.org> napisał w
wiadomości news:46srh1178iu07bsnhn453dv10qd5ljebgp_at_nospam_4ax.com...

(...)

Czy taka różnica może doprowadzić w kosekwencji do coraz większego
namagnesowania rdzenia i tym samym wjazdu jedną połówką w
nasycenie ?
Co może być jej przyczyną ? Rozrzut parametrów tranzystorów ? Jak

zlikwidować ? Kupić dwa nowe MOSFETy i wstawić ? Spróbować
rozmagnesować rdzeń ?
BTW rdzeń nie jest "wysilony" bo obliczeniowa indukcja w szczycie
to
44mT, a materiał ma nasycenie 360mT, czyli wykorzystałem mniej niż
połowę używalnego zakresu.

jest to tzw. "walking" wynikający z niesymetrii transformatora oraz
z różnic w czasie załączenia tranzystorów - nie do uniknięcia w
przetwornicy typu napięciowego, jaką jest SG3525. Po każdym cyklu
przemagnesowania transformatora (a przemagnesowanie następuje co 2
cykle) pozostaje jakaś różnica strumienia magnesującego, która
dodaje się (jako prąd magnesujący) do prądu roboczego, przy czym
kierunek i tempo tych zmian jest dość przypadkowe, stąd nazwa
zjawiska.
Czy jest to groźne - to zależy zasadniczo od spodziewanego stopnia
niesymetrii układu. Im mniej "wysilony" rdzeń, tym niesymetria prądu
(w wartościach bezwzględnych) słabiej się przenosi na zmiany
indukcji a tym samym ryzyko nasycenia rdzenia jest mniejsze (w
push-pull trafo jest bez szczeliny, co znakomicie podnosi jego
podatność na nasycenie). Niemniej jednak należy się liczyć z tym, że
nawet idealnie symetryczne trafo może się nasycać. Niestety należy
mieć też na uwadze, że przetwornica typu napięciowego w żaden sposób
nie widzi tej niesymetrii i nie jest jej w stanie zapobiec (chyba,
że ma zabezpieczenie nadprądowe, ale de facto nie sluży one
stabilizacji prądu tylko ochronie stopnia mocy - SG3525 ma takie
coś). Co gorsza, zła kompensacja pętli sprzężenia zwrotnego może
powodować takie niesymetrie zadziałania - kontroler nie ma jakiejś
"pamięci" zamrażającej współczynnik wypełnienia na 2 cykle. Jeśli
zjawisko wydaje się groźne (walking prowadzi do nasycenia) można do
transformatora dodać bardzo niewielką szczelinę. Albo zamienić
kontroler na prądowy - lepiej się go kompensuje :)

Pozdrawiam
entrop3r




Poprzedni Następny
Wiadomość
Spis treści
From: J.F. <jfox_xnospamx_at_nospam_poczta.onet.pl>
Subject: Re: Asymetria w przetwornicy push-pull - na ile groŸna ?
Date: Wed, 07 Sep 2005 00:17:51 +0200


On Tue, 06 Sep 2005 21:44:59 +0200, BLE_Maciek wrote:
Czy taka różnica może doprowadzić w kosekwencji do coraz większego
namagnesowania rdzenia i tym samym wjazdu jedną połówką w nasycenie ?

Juz by dawno to wystapilo :-)

Co może być jej przyczyną ? Rozrzut parametrów tranzystorów ? Jak ją
zlikwidować ? Kupić dwa nowe MOSFETy i wstawić ? Spróbować
rozmagnesować rdzeń ?

Rdzen to pewnie dawno rozmagnesowany.

A tutaj .. najpierw bym chyba zamienil konce pierwotne.
Bedzie wiadomo czy problem w trafie czy w sterowaniu.

BTW rdzeń nie jest "wysilony" bo obliczeniowa indukcja w szczycie to
44mT, a materiał ma nasycenie 360mT, czyli wykorzystałem mniej niż
połowę używalnego zakresu.

Jesli nie pomylilo ci sie ze 144, to nie wiem czy choc 5%
wykorzystales :-)

J.